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基于USB2.0和DDR2的数据采集系统设计

  • 摘要:采用DDR2SDRAM作为被采集数据的缓存技术,给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方...
  • 关键字: USB2.0  DDR2  数据采集  

基于Cyclone III FPGA的DDR2接口设计分析

  • DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,即双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,能够在时钟的上升沿和下降沿各传输一次数据,可以在与SDRAM相同的总线时钟频率下达到更高的数据传输率。虽然DDR2和DDR一样,都采用相同采样方式进行数据传输,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。
  • 关键字: Cyclone  FPGA  DDR2  III    

ASIC原型验证板DDR2 速率再攀高峰

  •   唐芯微电子(Infix-IP)Altera Stratix IV 530/820 FPGA单颗(MB3100-A5/8)和双颗(D-MB3100A)原型验证平台半年来在用户项目使用中,从性能、价格、稳定性来说已得到了用户的很高评价,当然,唐芯微人还是不失抓住每一次售后机会,把握用户提出的问题和建议,配合用户完成项目的同时对这款产品进行一次次优化修正,不但用户对唐芯微电子售后服务有了更进一步体会,而且几项技术成果的突破也让用户刮目相看。
  • 关键字: ASIC  DDR2  

基于USB2_0和DDR2的数据采集系统设计与FPGA实现

  • 摘要: 采用DDR2 SDRAM作为被采集数据的缓存技术, 给出了USB2.0与DDR2相结合的实时、高速数据采集系统的解决方案, 同时提出了对数据采集系统的改进思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的实现方法。

    0 引
  • 关键字: DDR2  FPGA  USB  数据采集    

基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真

  • 基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真, 摘 要: 介绍了DDR2嵌入式系统的仿真模型以及Hyperlyxn仿真工具,并基于Hyperlyxn仿真工具对IBIS模型进行仿真分析,给出了一个具体的DDR2嵌入式系统的设计过程和方法。  现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展
  • 关键字: 设计  仿真  系统  嵌入式  Hyperlynx  DDR2  基于  

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计

  • 基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存储器接口控制器的设计,  本白皮书讨论各种存储器接口控制器设计所面临的挑战和 Xilinx 的解决方案,同时也说明如何使用 Xilinx软件工具和经过硬件验证的参考设计来为您自己的应用(从低成本的 DDR SDRAM 应用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 这样
  • 关键字: 接口  控制器  设计  存储器  SDRAM  Xilinx  FPGA  DDR2  基于  

美光推出内存支持基于英特尔处理器的平板电脑和上网本

  •   美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50纳米的DDR2内存,支持英特尔即将对平板电脑和上网本推出基于Intel® 凌动™ 的Oak Trail平台。尺寸和电池寿命对于平板电脑市场十分重要,因此,小尺寸、高容量、低功耗的50纳米的2Gb DDR2内存将成为该市场的 理想存储解决方案。   美光的2Gb DDR2产品过渡到更先进的 50 纳米制程节点, 反映出美光对市场所需的技术的承诺和持续投资。从1Gb升级到2Gb 的元件除了容量提
  • 关键字: 美光  50纳米  DDR2  

镁光开始出货50nm 2Gb DDR2 内存芯片

  •   镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2Gb DDR2芯片,主要面向平板电脑市场。   该芯片采用低电压DDR2标准制造,可与英特尔开发代号Oak Trail的Atom系统协同工作,容量方面,该芯片从512Mb到2Gb不等,可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS内存条,实现8亿MT/s传输能力。   得益于较小的制程,这款芯片可以工作在1.55V的低压下,以降低系统的电源需求。   镁光预计这种DD2存储芯片将在2010年9月开始出样,年末之前量产出货。
  • 关键字: 镁光  50纳米  DDR2  

inSpectrum:内存/闪存芯片现货价格本周出现下降

  •   据inSpectrum市调机构的报告显示,由于本周内存/闪存芯片的现货市场需求量有所下滑,因此各大存储芯片厂商均对这些产品的现货价格进行了调整。 其中1Gb密度DDR2内存芯片产品的现货价格下调了5-6%,均价于4月30日下午达到2.62美元价位;而1Gb DDR3内存芯片的价格则下跌了3%,均价2.85美元。   近期内存芯片的市场需求表现较为弱势,加上又没有其它可以驱动芯片价格上涨的因素存在,而早先人们预计五一节假日期间大陆市场可能会发生的内存/闪存芯片价格回弹现象也由于实际的购买量并没有实
  • 关键字: 存储芯片  闪存芯片  DDR2  

威刚董事长预计DRAM市场二季度起出现供应短缺

  •   据台湾媒体报道,威刚科技董事长陈立白(Simon Chen)今日表示,从第二季度开始,动态随机存储器(DRAM)市场可能会面临供应短缺问题,到今年下半年,供需缺口可能会达到10%。   据报道,很多DRAM生产商已将部分DDR-2芯片产能转为生产DDR-3,这推动DDR-2芯片价格在传统淡季第一季度出现上涨。   报道称,自春节假期结束以来,DDR2现货价格已上涨6.8%。   威刚科技主要生产USB闪盘驱动器。
  • 关键字: 威刚  DRAM  DDR2  

台湾DDR2内存现货价节后上涨7%

  •   据台湾经济日报报道,内存(DRAM)补货潮号角响起,DDR2现货价打破传统淡季束缚率先表态,农历年后上涨近7%,创近一个多月新高。相关大厂如力晶、茂德、威刚等可望受惠,但科技大厂可能得要担心,资讯产品供应链下半年会出现缺货潮。   威刚董事长陈立白指出,电子大厂都在谈缺工,其实缺工问题不大,缺货才是下半年大难题。主要是笔记型与桌上型电脑等产品会面临这个问题。   根据集邦科技(DRAMeXchange)26日的报价,1Gb DDR2有效测试颗粒(eTT)上涨逾2%,均价2.35美元,创近一个多月新
  • 关键字: 茂德  DDR2  DRAM  

DDR2芯片价格有望在下半年超过DDR3

  •   报道,威刚主席Simon Chen今天表示,随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上,DDR2芯片的出货量将开始减少,其价格有望在今年下半年超过DDR3。   Simon Chen认为,DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元,那么它需求将会出现大幅度增长。   Simon Chen还表示,上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量,不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。   根据DRAMeXchange的监测,1Gb DDR2
  • 关键字: DRAM  DDR3  DDR2  

DRAM迎来希望之光 年底将“春光灿烂”

  •   在DRAM市场的历史上,2009年初可能是最黑暗的时期之一,当时厂商能活下来就不错了。   但是,继春季温和复苏之后,DRAM供应商的黑暗日子结束,夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨,营业收入也水涨船高。三星走在前列,营业利润率为19%,营业收入达22亿美元,市场份额扩大到35.5%的最高水平。   DDR3来临   第三季度,下一代DRAM技术——DDR3看到希望,而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测,DDR3出货量将在2010年第一季度超
  • 关键字: DRAM  DDR3  DDR2  

台湾DRAM厂商大举转产DDR3

  •   2010年PC主流内存标准从DDR2向DDR3的转换正在逐步成为现实。据台湾媒体报道,由于下游厂商的DDR2订单量近期出现急剧下滑,多家台系DRAM芯片制造商都在加快产能从DDR2向DDR3转换的步伐。根据稍早前的报道,台湾力晶(PSC)半导体以及他们和日本尔必达合资的瑞晶电子(Rexchip)预计,今年第一季度DDR3晶圆在其总产能中所占比例 将超过70%。而去年第三季度,DDR3颗粒占其产量的比例还不足5%。从去年第四季度开始,力晶和瑞晶已经明显加快了增产DDR3的步伐。   另一家DRAM大厂
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3  

DDR2乏人问津 DRAM厂抢转产能

  •   DDR2和DDR3 1月上旬合约价走势迥异,DDR2合约价大跌,DDR3却大涨,凸显世代交替已提前来临,将加速DDR2需求急速降温,快速转移到DDR3身上,近期台系 DRAM厂纷抢著将产能转移到DDR3,尤其是原本投入DDR3脚步落后的力晶和瑞晶,预计第1季底DDR3比重将达70%,速度超乎预期。不过,亦有业者认为,若大家都抢著把DDR2产能转走,说不定会意外让DDR2跌势止稳,反而有利于DDR2价格走势。   台 DRAM厂表示,原本业者认为在农历春节前DDR2买气还有最后一搏机会,因为DDR2若
  • 关键字: DRAM  DDR2  DDR3  存储器  
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ddr2介绍

DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制 [ 查看详细 ]

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