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ARM发布基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP

  • ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
  • 关键字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存储器  单片机  工艺  接口  纳米  嵌入式系统  存储器  

三星避冷就热两季压缩DDR2提闪存产量

  •   据国外媒体援引消息人士透露,韩国芯片巨头三星电子计划进一步缩减DDR2内存产能,并将生产线用于盈利更好的NAND闪存。    据业内消息人士透露,在本季度,三星电子已经将其DDR2内存的产能压缩了大约5000万个 “256Mbit单位”。到明年第一季度,该公司计划进一步压缩5000万个单位。这位消息人士说,三星电子计划用这些腾出的生产线生产目前市场供不应求的NAND闪存产品。    三星电子这个举措符合存储市场调研公司iSuppli对明年DRAM市场所作的估计。据这家机构
  • 关键字: DDR2  三星  闪存  

DDR2价格酝酿反弹2GbNAND闪存上扬

  • 根据内存市场研究机构DRAMeXchange最新调查显示,由于DRAM厂商面临过低的DRAM价格不愿放货,导致带动UTT(未经完整测试)产品的价格反弹。 适逢香港12月24日至12月27日的圣诞节假期,市场上买家也较为谨慎的掌控手中的库存,部分系统整合商以及OEM厂也不愿意在年底前买货增加库存,使得上周现货市场方面的交易并不火爆。主流芯片DDR 256Mb(32M
  • 关键字: DDR2  NAND  价格  闪存  

美商凯创获奖入侵侦测系统Dragon新版问世

  • 企业网路设备厂商 - 美商凯创(Enterasys Networks)表示,日内发表其获奖产品Dragon入侵侦测系统(Intrusion Detection System;IDS)的最新版本。Dragon 5在其基础架构中加入更好的延展性、可用性与弹性,以强化企业网路的安全
  • 关键字: IDS  凯创  DDR2  DRAM  
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ddr2介绍

DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制 [ 查看详细 ]

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