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- 以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段，Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认，第三代半导体确实具有更多的性能优势。
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碳化硅 SiC 氮化镓 GaN 宽禁带 WBG
- 0 引言近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG 材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG 功率器件已经对从普通电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC 功率器件进入市场的时间比氮化镓长，通常用于更高电压、更高功率的应用。电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调（HVAC）、重型机器人、物料搬运和许多其他功能。提高电机驱动的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
- 我国正在大力兴起新基建，带来了5G、数据中心、工业互联网、汽车充电桩、特高压等对新一代电源产品的需求。为此，本刊邀请了部分业内领军企业，介绍了相关的市场机会与技术趋势。
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PWM WBG CARG EV 202009
- 全球领先的电子元器件供应商基美电子（“KEMET”），近日继续通过使用KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案，从而满足业界对快速开关宽禁带（WBG）半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极（BME）电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结（TLPS）材料相结合，创建了一种表面贴装多芯片解决方案，其非常适合高密度封装和高效率的应用使用，所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四
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WBG BME TLPS
- 近日，推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏（V）和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
- 众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出，它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多，而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
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WBG RdsA
- 汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV)，并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿，持续开发和推出器件及集成的系统方案，以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。
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安森美半导体 自动驾驶 WBG
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