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- 我国正在大力兴起新基建,带来了5G、数据中心、工业互联网、汽车充电桩、特高压等对新一代电源产品的需求。为此,本刊邀请了部分业内领军企业,介绍了相关的市场机会与技术趋势。
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PWM WBG CARG EV 202009
- 全球领先的电子元器件供应商基美电子(“KEMET”),近日继续通过使用KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案,从而满足业界对快速开关宽禁带(WBG)半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极(BME)电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结(TLPS)材料相结合,创建了一种表面贴装多芯片解决方案,其非常适合高密度封装和高效率的应用使用,所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四
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WBG BME TLPS
- 近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
- 众所周知,封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征,如单位面积的导通电阻 (RdsA),同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出,它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多,而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上,其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
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WBG RdsA
- 汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV),并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿,持续开发和推出器件及集成的系统方案,以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。
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安森美半导体 自动驾驶 WBG
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