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- 5G基础设施、数据中心、太阳能逆变器、电动汽车(EV)及其充电桩是一些高增长领域。 通常，客户是要追求更高能效、更高集成度和更高可靠性的方案。 为了推动更高能效和功率密度，采用宽禁带(WBG)电源半导体器件是个上升趋势。未来几年，替代能源和新基础设施市场将以70%的复合增长率(CARG)快速增长。基础设施包括光伏转换器、充电桩、电池存储以及风能和水能。此外，建筑越来越“智能”，所有建筑基础设施都需要高能效方案来维持绿色碳足迹。 SiC和GaN是专门设计用于提高能效、降低材料使用量(物料单(BO
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PWM WBG CARG EV
- 全球领先的电子元器件供应商基美电子（“KEMET”），近日继续通过使用KONNEKT高密度封装技术扩展其广受欢迎的KC-LINK系列来增强其电源转换解决方案，从而满足业界对快速开关宽禁带（WBG）半导体、EV/HEV、LLC谐振转换器和无线充电应用不断增长的需求。这项技术将KC-LINK坚固耐用的专有C0G贱金属电极（BME）电介质系统与KONNEKT的创新型瞬态液相烧结（TLPS）材料相结合，创建了一种表面贴装多芯片解决方案，其非常适合高密度封装和高效率的应用使用，所产生的电容高达单个多层陶瓷电容器的四
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WBG BME TLPS
- 近日，推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏（V）和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
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SiC WBG
- 众所周知，封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征，如单位面积的导通电阻 (RdsA)，同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出，它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多，而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
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WBG RdsA
- 汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV)，并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿，持续开发和推出器件及集成的系统方案，以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。
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安森美半导体 自动驾驶 WBG
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