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安森美半导体推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

  • 近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
  • 关键字: SiC  WBG  

SiC器件和封装技术现状

  • 众所周知,封装技术是让宽带隙 (WBG) 器件发挥潜力的关键所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技术的性能表征,如单位面积的导通电阻 (RdsA),同时同步降低电容以实现快速开关。新的分立封装即将推出,它能让用户更好地利用宽带隙快速开关性能。可用的标准模块越来越多,而且有越来越多的新先进技术通过实现快速开关、降低热阻与提高可靠性来提高产品价值。器件技术SiC 肖特基二极管销售额占了 SiC 销售额的 50% 以上,其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等级。650V 二极管用于计
  • 关键字: WBG  RdsA  

安森美半导体将在EV China 2019展示电动汽车和助推迈向自动驾驶的技术

  • 汽车领域正迅速迈向采用纯电动汽车(EV),并采用将最终实现全自动驾驶汽车的精密ADAS。安森美半导体在这一领域处于技术前沿,持续开发和推出器件及集成的系统方案,以使强固、可靠并完全符合最新汽车标准的高性能电子成分遍及整个车辆。
  • 关键字: 安森美半导体  自动驾驶  WBG  
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