首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> rram

英飞凌携手台积电将RRAM技术引入至AURIX™ TC4x汽车微控制器产品系列

  • 【2022年12月7日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)和台积电近日宣布,两家公司准备将台积电的可变电阻式记忆体制程技术引入至英飞凌的新一代MCU AURIX™微控制器中。  自首个发动机管理系统问世以来,嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建模块。这些微控制器是打造绿色、安全和智能汽车所不可或缺的组成部分,被应用于驱动系统、车辆动态控制、驾驶辅助和车身应用中,助力汽车领域在电气化、全新电子电气(E/E)架构和
  • 关键字: 英飞凌  台积电  RRAM  汽车微控制器  

台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU

  • 11月25日,英飞凌和台积电宣布,两家公司正准备将台积电的电阻式RAM(RRAM)非易失性存储器(NVM)技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器(MCU),并将在台积电的28纳米节点上制造。自第一个发动机管理系统问世以来,嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前,市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术(eFlash)技术。而RRAM是嵌入式存储器的下一步,可以进一步扩展到28纳米及以上。英飞凌AURIX TC4x MCU系列将性能扩展与虚拟化、安全和网络功能的最新趋势相
  • 关键字: 台积电  RRAM  入英飞凌  汽车MCU  

台积电英飞凌强强联合,新型存储RRAM发展如何?

  • 存储器的发展取决于应用场景的变化,当下智能化时代的迅速发展对存储器提出了更高的要求,新型存储器迅速成长。目前新型存储器阻变存储器(Resistive Random Access Memory,ReRAM或RRAM)逐渐受到市场重视。近日,英飞凌官方消息称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米节点上制造。当前,英飞凌基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已
  • 关键字: 台积电  英飞凌  存储  RRAM  

英飞凌汽车MCU,选择RRAM

  • 据英飞凌称,其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而不是嵌入式闪存(eFlash),并将在台积电的28纳米节点上制造。虽然基于台积电28纳米eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户,但基于台积电28纳米RRAM技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示,Autrix TC4x系列微控制器专为ADAS而设计,可提供新的E/E架构和经济实惠的AI应用。嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来,就被用作
  • 关键字: 英飞凌  汽车MCU  RRAM  

一文读懂|三大新兴存储技术:MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此庞大的资料储存、传输需求下,在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷,且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下,驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
  • 关键字: 存储技术  MRAM  RRAM  PCRAM  

什么是FRAM?

  • FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。关于铁电质下面的图表解释了PZT晶体结构,这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛,作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定,即使在出现电场,它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么,电容器划分了底部电极电压和极化,超越了磁滞回线。数据以
  • 关键字: RRAM  

兆易创新宣布与Rambus签订专利授权协议

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时,兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业—合肥睿科微(Reliance Memory)签署了授权协议 。根据协议内容,兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用,这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局,从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。RRAM作为一种非
  • 关键字: 协议  专利  RRAM  

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

  •   日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
  • 关键字: 忆阻器  RRAM  

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

  •   日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
  • 关键字: RRAM  DRAM  

看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  •   你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:&ldquo
  • 关键字: RRAM  DRAM  

RRAM 或将改写存储器历史—兼评国内学者如何做出一流成果

  •   导语:上世纪中叶单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功,为后来的科技进步奠定了坚实的基础。随后,科研工作者们不断探索,先后将多种新型材料引入该产业,才有了如今半导体产业的蓬勃发展。全世界都在寻找更优质半导体材料的道路上不曾止步,而一种新型二维材料的出现,或指明了未来存储器的发展方向。   三维(3D)材料以其实用性好,加工简便及成本低廉等特点一直在各大行业的占据着主导地位,而无论在科研界还是工业界,人们对二维材料的研究与应用却始终屈指可数。我们知道所有物质的结构都是由原子在三维空间堆叠而
  • 关键字: RRAM  存储器  

RRAM:走向新型嵌入式存储之路

  • 物联网的出现和人类生活对智能设备永不满足的需求正驱动着传统智慧在微控制器和嵌入式内存市场的彻底变革。
  • 关键字: RRAM  嵌入式存储  

RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

  •   阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场,并在上海设立新的办事处。   Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示:“中国是电子行业发展最快的市场,亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术,我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外,我们近期与中芯国际已达成合作,将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺,有望使
  • 关键字: Crossbar  RRAM  

40nm代工RRAM存储芯片 中芯国际进入下一代内存产业

  •   中芯国际(SMIC)已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂,除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片,日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议,将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。   RRAM阻变式存储器也被称为相变内存,RRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成,其特点就是受热之后可以改变形状,成为晶体或者非晶体,而不同状态具有不同电阻值,因此可以用来储存数据。
  • 关键字: 中芯国际  RRAM  

中芯国际与RRAM领军企业Crossbar达成战略合作协议

  •   中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。   作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费
  • 关键字: 中芯国际  RRAM  
共17条 1/2 1 2 »

rram介绍

您好,目前还没有人创建词条rram!
欢迎您创建该词条,阐述对rram的理解,并与今后在此搜索rram的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473