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一文读懂|三大新兴存储技术:MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此庞大的资料储存、传输需求下,在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷,且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下,驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
  • 关键字: 存储技术  MRAM  RRAM  PCRAM  

什么是FRAM?

  • FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。关于铁电质下面的图表解释了PZT晶体结构,这种结构通常用作典型的铁电质材料。在点阵中具有锆和钛,作为两个稳定点。它们可以根据外部电场在两个点之间移动。一旦位置设定,即使在出现电场,它也将不会再有任何移动。顶部和底部的电极安排了一个电容器。那么,电容器划分了底部电极电压和极化,超越了磁滞回线。数据以
  • 关键字: RRAM  

兆易创新宣布与Rambus签订专利授权协议

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时,兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业—合肥睿科微(Reliance Memory)签署了授权协议 。根据协议内容,兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用,这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局,从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。RRAM作为一种非
  • 关键字: 协议  专利  RRAM  

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

  •   日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
  • 关键字: 忆阻器  RRAM  

冯丹:忆阻器RRAM最有希望取代DRAM

  •   日前,一年一度的中国存储峰会在北京如期举行,“数据中流击水,浪遏飞舟”是今年大会主题,论道存储未来,让数据释放价值,业界嘉宾围绕中国及全球存储市场的现状与发展趋势进行了深入解读,干货满满。下午第三分论坛,中国计算机协会信息存储专委会主任冯丹作为开场嘉宾,就算存融合的忆阻器发展趋势及RRAM(阻变存储器)性能优化方法展开主题演讲。冯丹表示,当前忆阻器呈现出大容量、计算与存储深度融合的发展趋势,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也认为是下一代代替DRAM(动态随机存储器)
  • 关键字: RRAM  DRAM  

看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

  •   你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:&ldquo
  • 关键字: RRAM  DRAM  

RRAM 或将改写存储器历史—兼评国内学者如何做出一流成果

  •   导语:上世纪中叶单晶硅和半导体晶体管的发明以及硅集成电路的研制成功,为后来的科技进步奠定了坚实的基础。随后,科研工作者们不断探索,先后将多种新型材料引入该产业,才有了如今半导体产业的蓬勃发展。全世界都在寻找更优质半导体材料的道路上不曾止步,而一种新型二维材料的出现,或指明了未来存储器的发展方向。   三维(3D)材料以其实用性好,加工简便及成本低廉等特点一直在各大行业的占据着主导地位,而无论在科研界还是工业界,人们对二维材料的研究与应用却始终屈指可数。我们知道所有物质的结构都是由原子在三维空间堆叠而
  • 关键字: RRAM  存储器  

RRAM:走向新型嵌入式存储之路

  • 物联网的出现和人类生活对智能设备永不满足的需求正驱动着传统智慧在微控制器和嵌入式内存市场的彻底变革。
  • 关键字: RRAM  嵌入式存储  

RRAM领军者Crossbar正式进军中国存储市场

  •   阻变式存储器(RRAM)技术的领导者Crossbar公司今日宣布正式进军中国市场,并在上海设立新的办事处。   Crossbar公司首席执行官George Minassian博士表示:“中国是电子行业发展最快的市场,亦是绝大多数产品的制造基地。凭借我们在中国深厚的风投实力和资源、新成立的本地办事处以及行业领先的技术,我们相信将在中国消费电子、企业、移动、工业和物联网等市场掀起新一轮电子创新浪潮。此外,我们近期与中芯国际已达成合作,将我们的嵌入式技术用于中芯国际40nm甚至更高工艺,有望使
  • 关键字: Crossbar  RRAM  

40nm代工RRAM存储芯片 中芯国际进入下一代内存产业

  •   中芯国际(SMIC)已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂,除了处理器之外他们也在积极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nm NAND闪存芯片,日前中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议,将使用40nm工艺为后者代工RRAM阻变式存储器芯片,意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。   RRAM阻变式存储器也被称为相变内存,RRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成,其特点就是受热之后可以改变形状,成为晶体或者非晶体,而不同状态具有不同电阻值,因此可以用来储存数据。
  • 关键字: 中芯国际  RRAM  

中芯国际与RRAM领军企业Crossbar达成战略合作协议

  •   中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”),中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,与阻变式存储器(RRAM)技术领导者Crossbar,今日共同宣布双方就非易失性RRAM开发与制造达成战略合作协议。   作为双方合作的一部分,中芯国际与Crossbar已签订一份代工协议,基于中芯国际40纳米CMOS制造工艺,提供阻变式存储器组件。这将帮助客户将低延时、高性能和低功耗嵌入式RRAM存储器组件整合入MCU及SoC等器件,以应对物联网、可穿戴设备、平板电脑、消费
  • 关键字: 中芯国际  RRAM  

加入RRAM开发战线,Sony 与Micron 共同发表新成果

  •   继 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)发表了他们在电阻式记忆体(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后,Sony 也与合作夥伴 Micron 发表了自 2011 年首度公开 RRAM 试作品后的最新试作品结果。   在 RRAM 的合作关系中,Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技术,Micron 则是目前记忆体制造业的大厂。在今年的
  • 关键字: RRAM  Sony  Micron  

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据

  •   阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器,相比现在的闪存,它的速度快上许多,读写时还非常节能。今天,加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术,可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据,这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高,同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍,读写时的功率仅为1/20。   取决于不同的设备,RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年,使用寿命也10倍于NAND,可以说是一种完美的高速存储器。C
  • 关键字: 阻变存储器  RRAM  
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