- MOS晶体管表现出理想模型所没有的各种二阶效应。为了设计在现实世界中工作的模拟集成电路，我们需要了解这些非理想因素。在上一篇文章中，我们介绍了基本的MOSFET结构和工作区域。我们讨论的模型描绘了一个理想的MOSFET，并且由于其较长的沟道尺寸，对于早期的MOSFET来说是相当准确的。然而，随后的研究和晶体管的持续小型化都揭示了晶体管行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。寄生电容由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容：CGS
- 关键字：
MOSEFT 晶体管
- 问：如何提高隔离式电源的效率？答：在大多数降压调节器的典型应用中，使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率，尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中，也可使用同步整流来提高转换效率。图1所示为副边同步整流的正激转换器。图1 正激转换器的自驱动同步整流驱动开关进行同步整流可以通过不同方式实现。一种简单方法涉及到跨越变压器副边绕组来驱动。如图1所示。本例中，输入电压范围可能不是非常宽。使用最小输入电压时，SR1和SR2的栅极需要有足够的电压，以便开关能够可靠地导通。为确保MOSFE
- 关键字：
MOSEFT
- 随着电动汽车（EV）数量的增加，对创建更加节能的充电基础设施系统的需求也在日益增长，如此便可更快地为车辆充电。与先前的电动汽车相比，新型电动汽车具有更高的行驶里程和更大的电池容量，因此需要开发快速直流充电解决方案以满足快速充电要求。150 kW或200 kW的充电站约需要30分钟才能将电动汽车充电至80％，行驶大约250 km。根据联合充电系统和Charge de Move标准， 快速DC充电站 可提供高达400 kW的功率。今天，我们将研究驱动更快、更安全、更高效的充电器的半导体技术
- 关键字：
EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- 本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器，特别是电动汽车驱动电机功率变换器，需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误，就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。因此，本文通过模拟雪崩事件，进行非钳位感性负载开关测试，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的测试条件，评估技术的失效能量和鲁棒性。
- 关键字：
MOSEFT VDS UIS DUT
- 德州仪器(TI)是推动GaN开发和支持系统设计师采用这项新技术的领军企业。TI基于GaN的电源解决方案和参考设计，致力于帮助系统设计师节省空间、取得更高电源效率及简化设计流程。TI新颖的解决方案不仅可以优化性能，而且攻克了具有挑战性的实施问题，使客户得以设计高能效系统，建设更绿色环保的世界。
- 关键字：
MOSEFT GaN UPS
- 中国新能源汽车电驱动领域高科技公司臻驱科技（上海）有限公司（以下简称“臻驱科技”）与全球知名半导体厂商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）宣布在中国（上海）自由贸易区试验区临港新片区成立“碳化硅技术联合实验室”，并于2020年6月9日举行了揭牌仪式。与IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有传导损耗、开关损耗*2小、耐温度变化等优势，作为能够显著降低损耗的半导体，在电动汽车车载充电器以及DC/DC转换器等方面的应用日益广泛。自2017年合作以来，臻驱科技和罗姆就采
- 关键字：
MOSEFT SiC
- 简介为汽车电子系统供电时，不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性。与车辆电池连接的电子和机械系统具有差异性，可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。事实上，在一定时间段内，12 V电源的变化范围为–14 V至+35 V，且可能出现+150 V至–220 V的电压峰值。其中有些浪涌和瞬变在日常使用中出现，其他则是因为故障或人为错误导致。无论起因为何，它们对汽车电子系统造成的损害难以诊断，修复成本也很高昂。通过总结上个世纪的经验，汽车制造商对会干扰运行、造成损坏的电子状况
- 关键字：
SOA ECU MOSEFT
- 本文将强调出无论就能源效率、散热片尺寸或节省成本方面来看,工业传动不用硅基(Si)绝缘栅双极电晶体(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些优点。摘要由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)最新的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(SiC MOSFET)技术,为电力切换领域立下全新的效能标准。1.导言目前工业传动通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近开发的碳化
- 关键字：
MOSEFT FWD ST IGBT
- 全球技术解决方案提供商 艾睿电子 近日发布了集成双向电力转换器解决方案，为电动汽车（EV）配备强大的移动充电器，提供高性能双向充电/放电技术，令电动汽车不但可以储存电力，并可将剩余的电能供应给住宅和电网。方案可以进一步实现"车辆到家居"（Vehicle-to-Home - V2H）和"车辆到电网"（Vehicle-to-Grid - V2G）供电模式，有助于调节电网高峰期的负荷，充分利用车辆电池闲置期间的资源，从而促进智慧城市向更持续更节能的发展
- 关键字：
MOSEFT EV
- 2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET，带来了高性能和高功效。它是如何定义性能和应用场景的？下一步产品计划如何？碳化硅业的难点在哪里？为此，电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌科技 电源与传感系统事业部大中华区 开关电源应用高级市场经理 陈清源据悉，此次英飞凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET产品，采用2种插件TO-247封装，既可采用典型的TO-247 三引脚封装，也
- 关键字：
MOSEFT 碳化硅 SMD
- 由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗？引言选择适当的栅极电压值是设计所有栅极驱动的关键。借助英飞凌的CoolSiC MOSFET技术，设计人员能够选择介于15-18 V之间的开通栅极电压，从而让开关拥有最佳的载流能力或抗短路能力。而栅极关断电压值只需要确保器件能够安全地关断。英飞凌建议设计人员将MOSFET分立器件的关断电压定为0 V，从而
- 关键字：
MOSEFT 栅极电压
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够
- 关键字：
IGBT MOSEFT
moseft介绍
您好，目前还没有人创建词条moseft!
欢迎您创建该词条，阐述对moseft的理解，并与今后在此搜索moseft的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
