- 由米勒电容引起的寄生导通效应，常被认为是当今碳化硅MOSFET应用的一大缺陷。为了避免这种效应，在硬开关变流器的栅极驱动设计中，通常采用负栅极电压关断。但是这对于CoolSiC™ MOSFET真的有必要吗？引言选择适当的栅极电压值是设计所有栅极驱动的关键。借助英飞凌的CoolSiC MOSFET技术，设计人员能够选择介于15-18 V之间的开通栅极电压，从而让开关拥有最佳的载流能力或抗短路能力。而栅极关断电压值只需要确保器件能够安全地关断。英飞凌建议设计人员将MOSFET分立器件的关断电压定为0 V，从而
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MOSEFT 栅极电压
栅极电压介绍
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