美国半导体科技研发联盟 Sematech 旗下的3D Enablement Center (3DEC)与美国半导体产业协会(SIA)、Semiconductor Research Corp. (SRC)，日前共同定义出了wide I/O DRAM 之后的未来3D芯片(3D IC)技术杀手级应用，以及将遭遇的挑战。
Sematech 表示，上述单位的众学者专家经过讨论之后，定义出异质运算(heterogeneous computing)、内存、影像(imaging)、智能型感测系统(smart s
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Sematech 3D芯片
据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片业代工巨头台积电公司可望于今年年底前推出业内首款采用3D芯片...
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台积电 3D芯片 能耗
据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片业代工巨头台积电公司可望于今年年底前推出业内首款采用3D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。Intel 则曾于今年五月份表示，他们将于今年年底前开始量产结合了三门晶体管技术(台积电计划14nm节点启用类似的Finfet技术)的芯片产品。而台积电这次 推出采用3D芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点则与其非常靠近。
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台积电 3D芯片
设计自动化大会(Design Automation Conference：DAC)已经举办到了第三天，前两天的议题主要围绕EDA自动化设计软件，Finfet发明人胡志明教授谈Intel的Finfet技术，以及IBM谈14nm制程技术等等，不过前两天的会议内容并没有什么特别新鲜的内容。第三天的主要讨论热点则转移到了3DIC技术方面。
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高通 3D芯片
Atrenta日前宣布，其与IMEC合作的3D整合研究计划，己针对异质3D堆叠芯片组装开发出了规划和分割设计流程。Atrenta和IMEC也宣布将在今年6月6~8日的DAC展中，展示双方共同开发的设计流程。
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Atrenta 封装技术 3D芯片
看好3D市场，DRAM大厂尔必达日前宣布，将与台湾力成科技、联华电子正式签约，携手展开TSV产品的共同开发;尔必达表示，三方还将针对3D IC整合技术、28纳米先进制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)进行开发与商务合作。
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尔必达 3D芯片
据南韩电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)已完成3D芯片生产系统的建构，正准备投入量产。近来英特尔(Intel)宣告领先全球开发出3D芯片，三星也表示持有相当数量的相关技术，且已确保量产技术。
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三星 3D芯片
Gartner分析师指出，英特尔新3D Tri-Gate晶体设计将不足以达成该公司在手机与平板计算机市场的野心。
Gartner副总裁杜拉内(Ken Dulaney)表示，英特尔(Intel)将采用突破技术支持Ivy Bridge 22纳米处理器，但它的设计将不足以进入移动市场。
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英特尔 3D芯片
尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而...
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单片型 3D芯片
尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高，但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用，而且这项技术的实际发展速度 也相对缓慢，目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段。不过，许多芯片制造商仍在竭力推进基于TSV的3D芯片技术的发展并为其投入研发资金，这些厂商 包括IBM,Intel，三星，东芝等等，3D芯片技术的优势在于可以在不需要改变现有产品制程的基础上增加产品的集成度，从而提高单位芯片面积内的晶体 管数量。
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3D芯片 堆叠
2011年1月5日，全球无线通信及数字媒体IC设计领导厂商联发科技股份有限公司(MediaTek Inc.)今日宣布将于2011消费电子展(CES: The International Consumer Electronics Show)推出全球首款支持120Hz偏光/快门式3D技术的单芯片解决方案，提供消费者更为优质惊艳的3D视觉体验，同时更推出新一代智能型电视芯片解决方案，掀起“客厅革命”的风暴。此方案不仅大幅提升无线链接速度，其传输质量也更稳定。
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联发科技 3D芯片
Applied Materials正在引领通孔硅技术(TSV)实现大规模量产。TSV技术通过芯片的多层连接，实现性能提升、功能改善、小型封装、降低功耗，被视为未来移动芯片领域的重要技术。Applied Materials发布Applied Producer Avila系统，成为首家提供全方位TSV方案的供应商，加速了3D-IC的上市时间。
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应用材料 3D芯片 移动芯片
IC尺寸微缩仍面临挑战。
为了使芯片微缩，总是利用光刻技术来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些技术。
1. 零低k界面：在目前Intel的45nm设计中，采用硅衬底和高k金属栅。在硅与高k材料之间有低k材料。对于零低k界面，免去了低k材料，提高驱动电流并减少漏电。这是16nm节点的一种选择。
2. 单金属栅堆叠：与传统晶体管相比，高k金属栅利用了单金属栅堆叠结构，这改善了晶体管性能，且降低了器件功耗。
3. III-V族材料上栅堆叠：Int
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摩尔定律 45纳米 3D芯片
3d芯片介绍
世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照，该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。该芯片的设计在国家Nanofab中心(韩国大田)和斯坦福Nanofab(美国加州)进行。BeSang公司称，该工艺由25个专利所保护，将允许Flash、DRAM以及SRAM放置在逻辑电路、微处理器以及片上系统上 [
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