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闪存 文章 进入闪存技术社区

汽车电子MCU技术原理与需求分析

  •   汽车作为一部大型的机电一体化设备,汽车电子在汽车整体成本中的比例越来越大。目前欧美发达国家汽车电子的平均成本达350美元以上,其涵盖了从车身控制、动力传动、车身安全,到车内娱乐的各个方面。   微控制器(MCU)作为汽车电子系统内部运算和处理的核心,也遍布悬挂、气囊、门控和音响等几十种次系统(Sub-System)中。由于汽车作为高速交通工具承载了对用户生命安全的保障,同时汽车经常工作在十分恶劣的环境中,其对内部电子设备的可靠性要求要远高于一般性电子产品。因此汽车电子所用的MCU与一般性产品的结构差
  • 关键字: 汽车电子  MCU  CAN  LIN  系统总线  嵌入式  闪存  DSP  

闪存新公司恒亿负重前行 前景尚不…

  •    如果凭老东家的实力,新公司应该让人感觉很有希望。但是现实面临两个大的问题,其一是在专注的存储器领域强手如林,新公司能否脱颖而出;其二是老东家英特尔及意法是否肯下更大的赌注。       全球头号芯片供应商英特尔与欧洲大厂STMicro合资新建的存储器厂Numonyx,中文名叫恒忆公司,于2008年4月1日作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主要业务是整合NOR、NAND(两种存储器类型)及内置RAM(内存)的存储器,并利用新型相变移位
  • 关键字: 闪存  恒亿  RAM  NOR  NAND  

Spansion推出针对手机的65nm MirrorBit® Eclipse™闪存解决方案样片

  •   北京,2007年4月7日——全球最大的纯闪存解决方案供应商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布,开始向其战略型OEM客户提供针对手机的65nm MirrorBit® Eclipse™闪存解决方案样片。通过将标准NOR闪存所具有的出色随机存取性能与MirrorBit Eclipse架构所拥有的业内领先的编程能力相结合,Spansion基于MirrorBit Eclipse架构的MCP产品将为使用中高端手机平台的用户带来非同凡响的使用体验。公司计划
  • 关键字: 闪存  Spansion    

用带2KB闪存的80C51基微控制器设计离线锂离子电池充电器(04-100)

  •   工程师可以采用恰当组合外设和闪存的合适8位微控制器来设计离线锂离子电池充电器,这是一个相当不错的选择。 集成2KB闪存和合适外设的80C51基微控制器所提供的解决方案并不昂贵。集成的闪存还能简便有效地调试应用码,如果必要的话,还可现场升级软件。   由于设计领域已经广泛接受并熟悉了80C51,软件/硬件开发便可以加快进行。这一方法的另一优势在于,众多厂商提供了一系列强大而 经济的应用开发工具。考虑到成本、设计效率和安全的电池充电的重要性,基于微控制器的解决方案的诸多优势便不言而喻。 
  • 关键字: 飞利浦  80C51  闪存  充电器  

NAND市场增长放缓芯片厂欲推迟建厂计划

  •   日前,全球领先的闪存供应商晟碟和东芝公司在日本签署了一项合作协议,表示双方将共同兴建NAND闪存工厂(Fab5),以应对未来市场对NAND闪存的需求,该工厂预计将于2010年投产。   市场研究公司AmericanTechnologyResearch分析师道格•弗里德曼(DougFreedman)表示:“我们相信大部分的投资者都希望Fab5工厂能够于2009年就可以投产,因为现在的供求关系依然比较乐观。”   但是闪存供应商们延迟其工厂兴建计划也再一次证明了NAN
  • 关键字: 闪存 NAND  

闪存分类和关键参数必读

  •     大约在1984年,在受聘于东芝公司期间,Fujio Masuoka博士发明了一种独特的存储器件,具有只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和电可擦除只读存储器(EEPROM)器件的理想特征。与RAM 和EEPROM一样,可以对这些新颖的器件或同类的ROM进行写、擦除和重写数据的操作,器件能将可恢复的静态数据保存几乎无限长时间。此外,与RAM 和ROM相比,Masuoka博士的存储器的容量容易提高。重要的是,与ROM和EEPROM相比,该芯片能长时期存
  • 关键字: 闪存   

NAND闪存价格下降将推动需求增长

  •   2月25日消息,闪存价格的下降已经伤害了一些半导体厂商的股票价格。但是,今天的痛苦可能会为明天的增长铺平道路。   NAND闪存芯片广泛应用于便携式媒体播放机、数码相机、硬盘和其它设备中。由于供过于求,2007年NAND闪存芯片的价格比2006年下降了60%。   但是,由于消费者喜欢数字音乐、图片和视频以及相关的便携式设备,NAND闪存芯片的需求也快速增长,2007年的需求量增长了大约170%。通过在一个更小的芯片中放入更多的闪存等生产方面的技术进步,闪存厂商能够把成本降低40%至50%。  
  • 关键字: 闪存  

三星位居龙头 闪存芯片厂商营收排行

  •   受到4Q07 NAND Flash价格剧跌的影响,品牌NAND Flash厂商3Q07整体营收表现微幅下跌成为US.8bn,比3Q07营收QoQ小幅减少了2.7%,由于3Q07末次级房贷所引发的金融市场风暴延烧到4Q07,造成传统欧美年终采购旺季需求不如预期,再加上主要NAND Flash供货商新的5Xnm制程产品在4Q07的产出量也较3Q07运转更顺畅,使得4Q07 NAND Flash整体产出比特QoQ成长约45%,因此也造成NAND Flash市场由3Q07的供货吃紧转为4Q07的小幅供过于求,
  • 关键字: 三星 闪存 芯片   

东芝与SanDisk投资7000亿日元建闪存基地

  •   东芝日前联合其美国半导体合作伙伴SanDisk宣称,未来两家公司计划投资7000亿日元在日本北部新建一处NAND闪存芯片基地。   两家公司表示,新基地的选址极有可能定在日本北部北上岩手县。但日本电子巨头东芝表示新工厂的选址还未作最后确定。   半导体芯片在整个业务当中占支柱地位的东芝公司目前有4个芯片制造基地,而且全部都在四日地区的三重县。   另有消息称,北九州地区的福冈县已向东芝公司发出邀请,希望东芝公司能将其第五个芯片制造工厂建在本地区。同时有人建议称,东芝公司即将建立的第五个芯片基地最
  • 关键字: 东芝 SanDisk 闪存   

分析师称NAND闪存市场可能再次面临崩溃

  •   在最近发生了产品种类短缺和平均销售价格走平之后,NAND闪存市场可能会再一次崩溃。   据Needham&Co.LLC公司位分析师EdwinMok称,全球最大的NAND闪存买主苹果计算机公司在12月和1月期间减少了三种类型NAND闪存芯片的采购。现在NAND闪存还没有杀手应用。这些因素都会对NAND闪存市场产生影响。   Mok称,苹果在2006年就曾采取过同样的减少采购的行动,导致了2006年1至9月NAND闪存芯片的供应量超过了需求的70%和价格的下降。   这位分析师称,虽然自从2
  • 关键字: NAND 闪存 芯片   

Spansion 荣获UT斯达康2007年度战略供应商奖

  •   纯闪存解决方案供应商Spansion宣布,公司获得由UT斯达康(中国)有限公司颁发的2007年度战略供应商奖。Spansion是唯一获此荣誉的NOR闪存供应商。   作为对供应商最高形式的认可,战略供应商奖是UT斯达康对Spansion一贯致力于提供先进的闪存解决方案以及对UT斯达康这一从事基于IP、端到端网络和通信解决方案技术和产品生产、整合及支持的国际化领导厂商的客户支持的一项重要肯定。   UT斯达康全球供应链高级副总裁Jimmy Khoo表示:“作为我们的战略供应商,Spans
  • 关键字: Spansion UT斯达康 闪存   

意法半导体第四财季赢利下滑 归咎于闪存业务

  •   半导体厂商意法半导体(STMicroelectronics NV)日前发布了其第四财政季度收入报告。报告显示,由于闪存业务销售低迷,加之该业务部门重组花费,导致第四季度意法半导体赢利出现下滑。   在今年第四财季,意法半导体公司净利润为2000万美元,每股折合2美分,去年同期赢利为2.76亿美元、每股30美分。不包括相关费用在内,该季度意法半导体赢利每股达到27美分。   销售收入从去年的24.8亿美元增长到27.4亿美元。   Thomson Financial财务公司预期意法半导体该季度每股
  • 关键字: 意法半导体 赢利 闪存  

意法半导体(ST)推出价位低于50美分的8位闪存微控制器系列产品

  •   意法半导体推出一系列低价格的闪存微控制器(MCU),新产品的目标应用是电动自动行车(ebike)、空调、小家电、传感器等注重成本的产品。ST7FOX系列产品包含多款不同型号的产品,每款产品主要差别在于片上闪存密度不同(2KB到8KB)和引脚数量不同(8支到32支)。所有产品的定价都低于50美分(0.50美元)的重要价格门槛。   新产品属于ST取得成功的深受市场欢迎的ST7微控制器系列,基于一个工业标准的8位体系架构,通过简化功能实现了极低的产品单价目标,同时还保留了强健的经过验证的先进技术优势。S
  • 关键字: 意法半导体  闪存  微控制器  MCU和嵌入式微处理器  

Gartner:08全球半导体设备开支将降9.9%

  •   据市场研究公司Gartner最新发表的研究报告称,2008年全球半导体设备开支预计将达到403亿美元,比2007年的448亿美元减少9.9%。   Gartner半导体生产事业部副总裁KlausRinnen称,2007年的特点是DRAM内存不顾供过于求的现实继续加大投资、NAND闪存开支增速减缓和代工厂商恢复开支的状况令人失望。在2008年,我们预计随着DRAM内存市场将纠正资本开支的长期错误,半导体主要设备市场的开支将减少。代工厂商开支增长速度减缓和由于担心美国经济衰退而采取的谨慎态度都是造成20
  • 关键字: 半导体  NAND  闪存  IC自动测试设备  ATE  

英飞凌授权IBM使用其嵌入式闪存制造工艺

  •   德国infineon日前宣布,将授权130纳米制程嵌入式闪存芯片制造技术给IBM。而IBM方面预计会在未来相应产品中使用该制程技术生产的产品,并提供相应服务。此列芯片预计将会在IBM北美工厂制造。   英飞凌的130纳米嵌入式闪存技术早在2006年就已经进入量产阶段。主要应用于使用微控制器芯片的智能卡自动系统中。根据计划,IBM将会在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圆工厂投产,预计会在2008年下半年进入量产阶段。   英飞凌是世界上第一家运用130纳米工艺实现嵌入式闪存产品量产
  • 关键字: 英飞凌  IBM  闪存  MCU和嵌入式微处理器  
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闪存介绍

【闪存的概念】 闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断 [ 查看详细 ]

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