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测试芯片 文章

Achronix为研究人员和测试芯片开发人员推出全新“eFPGA Accelerator”eFPGA应用加速项目

  • 基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件加速器器件和高性能嵌入式FPGA半导体知识产权(eFPGA IP)领导性企业Achronix半导体公司日前宣布:公司推出两个全新的项目,以支持研究机构、联盟和公司能够全面对接Achronix领先Speedcore eFPGA技术。该组项目将使研究机构和公司能够使用Achronix高性能Speedcore eFPGA技术快速构建低成本测试芯片。
  • 关键字: eFPGA Accelerator  测试芯片  加速项目  

Rambus和GLOBALFOUNDRIES展示非凡性能和功耗表现

  • Rambus公司(纳斯达克股票代码:RMBS)和GLOBALFOUNDRIES日前宣布两种独立的基于内存架构的硅晶测试芯片的合作成果。第一种测试芯片提供了针对智能手机和平板电脑等移动设备存储器应用的解决方案。第二种测试芯片展示了面向服务器等计算主存储器应用的解决方案。
  • 关键字: Rambus  GLOBALFOUNDRIES  测试芯片  

美商Altera公司与TSMC采用CoWoS生产技术

  • 美商Altera公司与TSMC22日宣布,采用TSMC CoWoS生产技术共同开发全球首颗能够整合多元芯片技术的三维集成电路(Heterogeneous 3DIC)测试芯片,此项创新技术系将模拟、逻辑及内存等各种不同芯片技术堆栈于单一芯片上组合而成,可协助半导体产业超越摩尔定律的发展规范,而TSMC的CoWoS整合生产技术能够提供开发3DIC技术的半导体公司一套完整的解决方案,包括从前端晶圆制造到后端封装测试的整合服务。
  • 关键字: Altera  测试芯片  3DIC  

IMEC发布14nm工艺开发套件 测试芯片下半年推出

  •   欧洲微电子研究机构IMEC(比利时鲁汶)日前宣布,已发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件(PDK),这是业界第一款用以解决14纳米节点逻辑工艺的开发工具包,IMEC表示。   该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术,包括FinFET器件和极端紫外线光刻技术。它包含了器件紧凑模型,寄生参数提取,设计规则,参数化单元(P-单元),和基本的逻辑单元,IMEC指出。   14纳米PDK作为IMEC Insite合作研究项目的一部分而开发,曾有报道称Altera公司、NVIDIA公司与美国高通公司都是
  • 关键字: IMEC  测试芯片  

中芯与灿芯40LL ARM Cortex-A9测试芯片成功流片

  •   国际领先的IC设计公司及一站式服务供应商—灿芯半导体(上海)有限公司与中芯国际集成电路制造有限公司及ARM日前联合宣布,采用中芯国际40纳米低漏电工艺的ARM® Cortex™-A9 MPCore™双核测试芯片首次成功流片。   该测试芯片基于ARM Cortex-A9双核处理器设计,采用了中芯国际的40纳米低漏电工艺。处理器使用了一个集32K I-Cache和32K D-Cache,128 TLB entries,NEON™ 技术,以及包括调
  • 关键字: 灿芯  测试芯片  Cortex  

Open-Silicon、MIPS和Virage Logic共同完成ASIC处理器设计

  •   Open-Silicon、业界标准处理器架构与内核领导厂商 MIPS 科技公司和Virage Logic 三家公司共同宣布,已成功开发一款测试芯片,充分展现出构建高性能处理器系统的业界领先技术。该处理器测试芯片实现了1.1GHz的频率速度,成功通过了65nm 芯片测试,使其成为65nm ASIC 中最快的处理器之一。同时,后续40nm器件的开发工作也已经开始进行,目标是超过2.5GHz频率,并提供超过5000 DMIPS的性能。这项开发计划采用了Open-Silicon的CoreMAXTM技术,以及超
  • 关键字: MIPS  ASIC  测试芯片  65nm  40nm  

ARM最新45nm 测试芯片实现40%的功耗降低

  •   ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator,SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明,相较于采用传统的体硅工艺(bulk process)进行芯片制造,该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器,能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时,SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。   
  • 关键字: ARM  45纳米  测试芯片  

ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40%

  •   据ARM的研究人员的报道,公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比,功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
  • 关键字: ARM  45nm  SOI  测试芯片  

英飞凌推出测试芯片消除VIA缺陷

  • 英飞凌推出测试芯片消除VIA缺陷    提高产品的可靠性 英飞凌公司在全球范围内率先推出一种全新方法,该方法可消除高度集成半导体电路制造过程中引起产品缺陷的一个最常见原因:过孔电气故障。“过孔(VIA)”表示“垂直互连”,指集成电路金属层之间的连接。英飞凌与雷根斯堡应用科学大学(FH  Regensburg)合作开发出该全新方法。该合作项目是英飞凌Automotive  ExcellenceTM计划的一部分,该计划于三年前启动
  • 关键字: VIA  测量  测试  测试芯片  缺陷  英飞凌  
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测试芯片介绍

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