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寄生电容 文章 进入寄生电容技术社区

保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性 的影响*

  • 摘  要:本文研究了P型保护环对双向可控硅(DDSCR)静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备 了不带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR)和带保护环的低压双向可控硅(LVDDSCR_GR)器件,在 高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR)和带保护环的高压双向可控硅(HVDDSCR_ GR)器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性,同时利用传输线脉冲(TLP)测试仪 分析了它们的静电性能。结果表明,保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响,但在1 
  • 关键字: 202206  双向可控硅  保护环  寄生电容  传输线脉冲测试系统  

高速多通道CCD预放电路设计

  • 摘要:高速成像应用中,CCD的输出通道数较多,且每个通道的速度也很高。多通道输出需要多个放大器对信号进行放大。当放大器数量较多时,电路板布局时很难使放大器靠近CCD放置。较长的电路板走线产生的寄生电容和CCD输
  • 关键字: 高速CCD  预放电路  寄生电容  高频补偿  

PCB Layout中直角走线会产生什么影响?

  • 直角走线一般是PCB布线中要求尽量避免的情况,也几乎成为衡量布线好坏的标准之一,那么直角走线究竟会对信号传输产生多大的影响呢?从原理上说,直角走线会使传输线的线宽发生变化,造成阻抗的不连续。其实不光是直角走线,顿角,锐角走线都可能会造成阻抗变化的情况。
  • 关键字: PCBLayout  PCB  直角走线  EMI  寄生电容  

高速PCB过孔的研究

  • 在数字通信系统中,随着PCB布线密 度,布线层数和传输信号速率的不断增加,信号完整性的问题变得越来越突出,已经成为高速PCB设计者巨大的挑战。而在高速PCB设计中,过孔已经越来越普 遍使用,其本身的寄生参数极易造成信号完整性问题,如何减少过孔本身所产生的信号完整性问题,已经成为高速PCB设计者研究的重点和难点。
  • 关键字: 高速PCB  过孔  寄生电容  反焊盘  信号完整性  

如何妙用二极管减少寄生电容

  •   二极管以其单向导电特性,在整流开关方面发挥着重要的作用;其在反向击穿状态下,在一定电流范围下起到稳压效果。令人意外的是,利用二极管的反偏压结电容,能够有效地减少信号线上的接入寄生电容,这里将近一步讨论这个运用。  上次我们分享了关于“如何妙用二极管的导通压降”的知识,之后有用户要求了解更多有关电子类器件的知识,这里就来讲讲“如何妙用二极管减少寄生电容”。  二极管参数—单向导电性  提到二极管,大家最熟悉的就是二极管的单向导电性,反映伏安曲线上如图1所示。当正向偏压U=0.5V(硅管)时,二极管开始导
  • 关键字: 二极管  寄生电容  

感测的内容是什么? 用于电容感测的有源屏蔽

  • 你在传感器系统中是否遇到过电容测量值的波动呢?对于这些测量值的波动有几种解释,但是最常见的根本原因是外部寄生电容干扰。这种干扰,比如说不经意间将手靠的太近或者周围区域中的电磁干扰 (EMI),需要引起我们的
  • 关键字: 电容感测    电容测量    寄生电容  

外部寄生电容干扰消除法

  • 在进行测控系统设计时,常常需要对系统中的电容值进行测量。而测量的结果常常会产生波动,造成不准确的测量结果。这种情况的发生通常都是由于寄生电容的干扰导致的。寄生电容的产生也可能有多种来源。比如布线的电线
  • 关键字: 寄生电容  电容  传感器  电磁干扰  

使用PGIA以免开关寄生电容燃烧

  • 可编程增益仪表放大器通常用于最大程度地扩大精密传感器测量的动态范围。 多数仪表放大器使用外部增益电阻Rg设置增益,因此所需增益可通过对一组电阻进行多路复用实现。 然而,通过这种方式实施系统前,须考虑三大
  • 关键字: PGIA  寄生电容    

论述如何降低肖特基PIN限幅器损耗

  • 介绍无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中,交换器或循环器连接端...
  • 关键字: 等效电路  寄生电容  低噪声放大器  

电容传感器寄生电容产生原因及消除方法

  • 引 言  电容式传感器具有结构简单,灵敏度高,温度稳定性好,适应性强,动态性能好等一系列优点,目前在检测技术中 ...
  • 关键字: 电容  传感器  寄生电容  

电路板通孔的寄生电容分析

  • 每个通孔都有对地寄生电容。因为通孔的实体结构小,其特性非常像集总线路元件。我们可以在一个数量以内估算一个通孔的寄生电容的值:其中,D2=地平面上间隙孔的直径,IN
    D1=环绕通孔的焊盘的直径,IN
  • 关键字: 电路板  通孔  寄生电容  分析    

一种减少VDMOS寄生电容的新结构

  • 分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容。在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少栅电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能。
  • 关键字: VDMOS  寄生电容    

电容触摸传感的理论框架

电容触摸传感的理论框架

  • 电容触摸传感技术要求对电容或容值的变化进行测量。完成测量有多种方法,但每当模拟硬件采集到数据后,就必须将数据输入给单片机处理。必须对数据进行后处理,比如以数字的形式来表示数据才能使读数具有实际意义。可根据不同的应用来调整后处理方式,可能看起来非常简单,也可能极其复杂。相同的概念也可能适用于其他硬件和后处理需求。
  • 关键字: 微芯  传感器  电容触摸传感  容性耦合  充电周期  充电速率  寄生电容  频率偏移  
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寄生电容介绍

寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容,但由于布线构之间总是有互容,互感就好像是寄生在布线之间的一样,所以叫寄生电容。 寄生电容一般是指电感,电阻,芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上,一个电阻等效于一个电容,一个电感,和一个电阻的串连,在低频情况下表现不是很明显,而在高频情况下,等效值会增大,不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感,ESR就是等效电阻。不管是电阻, [ 查看详细 ]

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