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存储器 文章

赛普拉斯公司被中兴通讯公司认可为顶尖的SRAM供应商

  • Cypress凭借其超群的总所有权成本、产品质量、技术支持和交货能力而得到了中国领先WAN公司的表彰 2005年5月13日    北京讯 今天,赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor)宣布被中国最大的WAN设备制造商之一、年收入达40亿美元的中兴通讯(ZTE)公司评定为SRAM和专用存储器的首选供应商。这一排名是根据各SRAM销售商在去年的总体业绩确定的。 据ZTE称,影响该排名的因素有很多,包括总所有权成本、产品质量、对ZTE要求
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三星 下半年DRAM供需均衡 面板需求降温

  • 据外电报道,三星电子周三预期下半年个人计算机用DRAM的供给和需求将达到平衡,并认为2006年LCD面板的需求成长将持续降温。   三星在一份呈交南韩证交所的报告中表示,芯片制造商将制程升级至90奈米后,良率问题影响供给成长,加上部份产能挪用生产非DRAM产品,是下半年供需平衡的主因。   但有些分析师更乐观预期下半年DRAM的需求会微幅超过供应,并带动价格上扬,与其相较,SAMSUNG的看法还较为保守。自今年初以来,DRAM芯片在供给增加及需求疲弱的压力下,现货价格已重挫逾40%。多位分析师都预期第2季
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三星电子公司预计今明年DRAM销售将衰退

  •     5月11日消息,全球第二大半导体制造商三星电子预计2006年计算机内存芯片全球销售将步入连续第二年衰退。     三星电子在香港准备给投资人的文件中表示,动态随机存取内存DRAM销售今年将衰退4%,明年估计萎缩12% 。      据港台媒体报道,DRAM供过于求导致Infineon等制造商出现亏损。    三星电子表示,供过于求的情况将持续至第三季,第四季才可能出现供需相符的情况。    三星电子
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CL 2.5水平低延迟DDR-2内存芯片即将量产

  •     DDR-2内存如我们预期地目前已开始调整售价并可在下半年取代DDR内存在市场的主流位置,不过DDR-2内存众所周知目前主要的问题也在于其高延迟性(CL 4/5)设计而大大影响了产品性能。如在同级的DDR与DDR-2内存对比当中DDR的性能肯定要高于DDR-2,但DDR-2未来始终还是会得益于其高工作频率设定可达成更高的内存带宽而将取代最高不过667MHz的DDR,无论如何DDR-2的高延迟特性如不能得到一定改良的话其性能表现始终是不能有太大的突破,而这个情况
  • 关键字: CL  存储器  

现代与意法半导体在中国建内存芯片厂

  •     4月29日消息,韩国现代半导体(Hynix Semiconductor)和意法半导体公司本周四在中国江苏省无锡市举行了高级内存芯片加工厂建设的破土动工仪式。      韩国时报报道,这个内存芯片加工厂是根据现代半导体和意法半导体去年11月份达成的合资企业协议建设的。这个合资企业将在今年年底投入商业性生产。无锡市在声明中称,这个工厂首先使用8英寸晶圆进行生产,然后在2006年晚些时候过渡到12英寸晶圆。这个工厂
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Synopsys推出新版DFT编译器和TetraMAX ATPG工具

  • Synopsys公司为其Galaxy测试解决方案推出DFT编译器和自动测试模式生成工具TetraMAX。其中DFT的快速扫描综合技术和标准测试DRC引擎可加速扫描插入与测试设计规则检查,从而使设计人员在短时间内完成测试性设计。而改进的TetraMAX ATPG算法将有助于数百万门设计中优化压缩的模式生成。www.synopsys.com
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瑞萨加入CellularRAM开发阵营瞄准下一代手机市场

  • Renesas公司近期宣布加入由Cypress、Infineon及Micron三家公司联合倡导的CellularRAM标准联合开发组。CellularRAM产品被设计用来进行2.5G和3G手机设计,是一种嵌入式替换方案,引脚和功能都与用于当前手机设计中的异步低功耗SRAM兼容。www.renesas.com
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飞利浦发布DVD+R/+RW与硬盘驱动器结合的半导体参考设计

  • 飞利浦电子公司发布了全球第一款DVD+R/+RW和硬盘驱动器结合的半导体参考设计。该参考设计基于 PNX7100 MPEG-2解码器,具有完整的硬件图单、材料单、业界标准的软件堆栈、全面的Nexperia Home开发工具包以及相关文件。为亚洲的消费电子OEM厂商提供了低材料成本及快速的上市时间。www.semiconductors.philips.com
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基于TMS320C54x的便携存储设备设计

  • 摘    要:本文介绍了一种以TMS320C54x为核心的移动存储终端,终端中使用NAND Flash作为存储器件。讨论了TMS320C54x对NAND Flash的编程以及接口设计。关键词:DSP;NAND;Flash 引言移动存储终端包括手机、掌上电脑、PDA和数码相机等手持设备及各种信息家电。在这类产品中既要结合存储功能,又需要具备一定的信号处理能力,因此基于DSP芯片的设计方案成为这些产品的主流方案。同时,为了降低产品成本,采用具有较高容量/价格比的NAND Fla
  • 关键字: DSP  Flash  NAND  存储器  

为实现高性能选择正确的 SRAM 架构

  • 按惯例,设计人员总把SRAM 作为其最基本的形式,即单端口、单时钟域器件。在需要更高性能时,设计人员通常会选择更高的时钟频率和更宽的总线。尽管这样可以显著提高 SRAM 性能,但却并不是唯一的方法。我们也可以开发用于先进通信系统的存储器,这就将工作重点转向了带宽,而不是时钟频率。存储器带宽的定义为:给定时间内可通过器件访问的数据量。通常单位为Mbps乃至极高性能存储器的Gbps。带宽的主要组成部分为 I/O 速度、接入端口宽度以及存储器可用的接入端口数量。用以下简单的方程式可计算出带宽:带宽=I/O速度
  • 关键字: SRAM  存储器  

高速大容量数据采集板卡的SDRAM控制器设计

  • 摘  要:本文对高速、高精度大容量数据采集板卡所采用的SDRAM控制器技术进行了讨论,详细介绍了基于FPGA的SDRAM控制器的设计、命令组合以及设计仿真时序,并将该技术应用于基于PCI总线的100MHz单通道 AD9432高速大容量数据采集板卡,最后给出了板卡测试结果。关键词:SDRAM;FPGA;AD9432 引言高速数据采集具有系统数据吞吐率高的特点,要求系统在短时间内能够传输并存储采集结果。因此,采集数据的快速存储能力和容量是制约加快系统速度和容许采集时间的主要因素之一。通常用于数据采
  • 关键字: AD9432  FPGA  SDRAM  存储器  

半导体分析师认为DRAM价格下跌将减缓

  •  根据彭博资讯(Bloomberg),证券业者花旗集团旗下半导体分析师,宣布将DRAM业者包括美光集团科技(Micron)、英飞凌(Infineon)与南亚科技等的股票投资评等调高,理由是认为DRAM价格下跌的状态将开始减缓。     据了解,花旗将Infineon和南亚科技的评等由“持有”调高至“买进”,Micron和茂德(PronMOS)则由“卖出”调高至“持有”,韩国三星电子评等维持不变在“持有”。分析师指出,价格可能在下个月或其后一个约触底,而全球
  • 关键字: DRAM  存储器  

测量并抑制存储器件中的软误差

  • 软误差是半导体器件中无法有意再生的“干扰”(即数据丢失)。它是由那些不受设计师控制的外部因素所引起的,包括α粒子、宇宙射线和热中子。许多系统能够容忍一定程度的软误差。例如,如果为音频、视频或静止成像系统设计一个预压缩捕获缓冲器或后置解压缩重放缓冲器,则一个偶然出现的缺陷位可能不会被察觉,而且对用户而言也许并不重要。然而,当存储元件在关键任务应用中负责控制系统的功能时,软误差的不良影响就会严重得多,不仅会损坏数据,而且还有可能导致功能缺失和关键系统故障。本文将讨论产生这些软误差的根源、不同的测量技术以及抵御
  • 关键字: 赛普拉斯  存储器  

混合信号测试新结构——同步及存储磁心

  • 引言当前电子设计的趋势是复合功能化以及更广泛地使用模拟、数字混合技术。在设计、建模和测试诸如3G手机及机顶盒等混合了视频、音频及数据信号的系统时,需要紧密集成与基频采样频率、失真和触发特性相匹配的数字及模拟数据采集和发生硬件。模拟及数字仪器不再是具有完全相异的定时引擎和不匹配模拟性能的独立系统。另外,随着这些具有类似时钟的设备在全球范围内广泛地制造,产品必须在极宽的温度范围内具有稳定性和性能一致性,以便进行可靠的、高性能的功能测试。NI设计的同步及存储磁心(SMC)作为一种针对高速模块化仪器的通用结构回应
  • 关键字: NI  存储器  

rSRAM消除“软错误”对电子系统的威胁

  • 意法半导体(ST)公布的一项新技术rSRAM,完全可以消除近年来不断困扰电子设备制造商的 “软错误”难题。由于该技术对标准SRAM存储单元的改进方法是在单元结构内以垂直方式增装附加电容器,因此,芯片面积以及制造成本都不会受到较大的影响。www.st.com
  • 关键字: ST  存储器  
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存储器介绍

什么是存储器 存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。 存储器的构成 构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [ 查看详细 ]

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