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EEPW首页 >> 主题列表 >> 存储单元

存储单元 文章

SDRAM电路设计详解

  • 介绍SDRAM电路设计之前先了解下SDRAM的寻址原理。SDRAM内部是一个存储阵列,可以把它想象成一个表格,和表格的检索原理一样,先指定行,再指定列,就可
  • 关键字: SDRAM  电路设计  寻址原理  存储单元  

抗故障攻击的专用芯片存储单元设计

  • 在复用检测和线性校验码检测的基础上,提出互补存储、奇偶校验和汉明码校验三种存储单元的抗故障攻击防护方案。应用这三种方案,用硬件描述语言Verilog设计了三种抗故障攻击双端口RAM存储器,在Altera 公司的器件EP1C12Q240C8上予以实现。
  • 关键字: 汉明码校验  存储单元  Verilog  

RISC结构微处理器专用存储单元的研究与实现

  • 分析了RISC微处理器结构的特点,针对分组密码的操作特征在RISC结构密码专用微处理器中增加专用存储单元,用来专门存储密码运算的相关数据,同时扩展了指令集,极大地减少了执行密码算法时的指令条数,提高了密码运算效率,增强了其处理性能。
  • 关键字: RISC微处理器  分组密码  存储单元  

分离栅极闪存循环擦写引起退化分量剖析

  • SuperFlash®技术基于分离栅极概念,广泛用于独立和嵌入式NOR闪存产品。与其他竞争解决方案相比,SuperFlash的主要优势包括:因采用较厚的隧道电介质
  • 关键字: 分离栅极  存储单元  嵌入式  

E2PROM的存储单元

E2PROM存储单元的三种工作状态

基于MCS-8051单片机的片外数据存储器扩展设计研究

  • 摘要:本文介绍MCS-8051单片机片外256 KB数据存储器的扩展方法,主要以MCS-8051系列单片机为例,介绍一种新的片外 ...
  • 关键字: MCS-8051单  数据存储器  存储单元  

世界上最小的静态存储单元问世

  •   8月18日,美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。   SRAM芯片是更复杂的设备,比如微处理器的“先驱”。SRAM单元的尺寸更是半导体产业中的关键技术指标。最新的SRAM单元利用传统的六晶体管设计,仅占0.1平方微米,打破了此前的SRAM尺度缩小障碍。   新的研究工作是在
  • 关键字: AMD  SRAM  IBM  存储单元  

一种低电压开关电流甲乙类存储单元的设计

  • 本文设计了一种低电压甲乙类开关电流存储单元,电源电压±1 V,其最大采样信号频率12.9 MHz,并且具有结构简单、容易设计的优点。
  • 关键字: 低电压  存储单元  开关电流    
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存储单元介绍

存储单元一般应具有存储数据和读写数据的功能,一般以8字节作为一个存储单元。每个单元有一个地址,是一个整数编码,可以表示为二进制整数。程序中的变量和主存储器的存储单元相对应。变量的名字对应着存储单元的地址,变量内容对应着单元所存储的数据。指针的内容是存储地址在存储器中有大量的存储元,把它们按相同的位划分为组,组内所有的存储元同时进行读出或写入操作,这样的一组存储元称为一个存储单元。一个存储单元通常可 [ 查看详细 ]

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