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三星(samsung) 文章 进入三星(samsung)技术社区

台媒:三星压境带给台湾半导体产业思考

  •   历经2008-2009年金融风暴后,全球半导体产业呈现快速反弹回升的迹象,下游终端应用市场对半导体产品的需求,亦从供过于求转为供不应求。据WSTS统计与资策会MIC预测,2008与2009年全球半导体市场连续2年陷入衰退,分别下滑2.8%与9%,2009年全球半导体市场规模为2,263亿美元。2009年下半年起,全球经济景气逐步回升,半导体市场亦恢复成长动力,预估2010年全球半导体市场成长动力将达15~20%,短期内市场需求畅旺,半导体相关厂商营运多数恢复成长。   台湾半导体产业同受市场下滑之冲
  • 关键字: 三星  IC设计  

三星的行动让业界生畏

  •   三星在DRAM及NAND中称霸,年产值达200亿美元。然而近期的几件事让人联想泛泛,三星拟再夺全球代工的宝座。   南韩半导体大厂三星电子(Samsung Electronics)日前提高资本支出,其中在系统LSI(System LSI)部门,资本支出亦增加逾50%,达2兆韩元(约18亿美元),以满足手机等系统单芯片(SoC)需求,显示三星有意加强晶圆代工业务。业界对此解读,三星主要系着眼于最大客户高通(Qualcomm)手机芯片订单,未来是否会扩大分食高通在台积电订单,高通订单版图移转变化有待观察
  • 关键字: 三星  DRAM  NAND  

三星集团将扩大新兴事业投资 并启动LED世界第1战略计划

  •   三星集团会长李健熙回归至三星,于2010年5月11日再度发表绿能与生技新事业投资计划,预定在2010~2020年投资LED、太阳能电池、车用电池、生物制药、医疗器材等领域,累计投资额将达23.3兆韩元,将较其于2010年1月所发表计划内容显著扩大投资。   观察三星集团绿能与生技新事业投资计划2010~2020年累计总投资额与2020年营收目标,LED所占比重均高于其它4领域,意味三星集团中主导LED事业的三星LED将持续积极扩充产能,以加快其营收成长脚步。   2009年三星LED营收较2008
  • 关键字: 三星  LED  太阳能电池  车用电池  生物制药  医疗器材  

今年 Q1 NAND闪存市调报告出炉 三星东芝占据大半江山

  •   据iSuppli市调公司2010年第一季度的NAND闪存市场调查报告显示,三星与东芝公司两家占据了NAND闪存市场的绝大部分份额,其中三星的营收 份额最高,达到了38.5%,东芝则位居第二为33.8%,两者合在一起占据了72.3%的NAND闪存市场营收份额。按美元计算,今年第一季度NAND 闪存的市场总值达到43.6亿美元,比去年第四季度NAND闪存市场总值43.3亿美元提升了0.6%。由于季节性因素的影响,每年的第一季度闪存市场一 般都会比上一年最后一季度有所萎缩,而今年则反其道而行,iSuppli
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

最新DRAM厂商排名出炉 三星市占优势扩大

  •   市场调研机构Gartner近日公布了2010年Q1的DRAM市场份额公司排名情况。在Q1排名中市场份额扩大的优胜者是三星,美光及力晶及茂德。Q1 市场份额减少的失意者为海力士,尔必达,南亚和威邦。   Q1的市场排名中依销售额计,三星居首位,接下来为海力士,尔必达,美光,力晶,南亚,威邦,茂德,东芝和钰创科技。   台湾的茂德与力晶半导体由于产能利用率近满载,它们的销售额大幅增加。Gartner的分析师Andrew Norwood认为力晶受益于其技术向Elpida的65nm XS技术过渡, 所以超
  • 关键字: 三星  DRAM  

三星斥156亿美元巨资扩大产能 竞争对手咋舌

  •   三星电子前日宣布,今年的扩张资本支出将增加到18兆韩元(折合156亿美元)。计划将以11兆韩元扩充内存芯片产能,还将以5兆韩元与2兆韩元分别投入液晶显示器 (LCD),以及电视与手机业务。此外,加上研发支出,预计三星今年支出总额将达26兆韩元,较去年激增67%,如此大手笔让人咋舌。   据悉,三星半导体业务总裁权五铉3月在出席GSA内存大会时还表示,三星不会盲目扩大DRAM颗粒产量,但会重视产品价值,稳定产品价格。他还督促DRAM制造商不要一味的追求产能,而是应该把注意力放在工艺升级和高端产品的研发
  • 关键字: 三星  DRAM  面板  

OLED前景现分歧 日企淡出中韩挺进

  •   当所有人把目光聚焦在3D显示领域时,下一代平板显示技术的代表---OLED市场又活跃起来。近日,苹果方面透露下一代iPad将采用OLED(有机发光二极管)显示屏。与此同时,韩系两大消费电子厂商三星和LG则宣布将于明年投产可供电视用的OLED面板。   据了解,投入大、产出小是目前OLED产业发展中的最大问题,在该领域经营多年的索尼于今年3月停止生产销售OLED电视也是这个原因。就目前中国而言,从事OLED研发且规模较为集中的有四川、江苏和广东等3个地方,不过OLED技术研发分散、产业化程度不够的问题
  • 关键字: 三星  OLED  

三星计划177亿美元大手笔投资芯片业务

  •   据路透社报道,三星将在近期宣布大幅度提高今年的芯片业务投资支出。而韩国当地媒体透露说,投资金额将达到20万亿韩元(177亿美元)。   三星预计在新晶圆厂动工仪式上宣布这项投资计划,该数字是原来规划的两倍还多。不过业界担心,设备制造商可能很难为三星的这项大规模投资提供充足的设备支持,这就使得他们可能将之前打算向其它晶圆厂提供的设备转向三星。   由于近几年的全球芯片业务投资都低于平均水平,这使得市场的芯片供应非常吃紧。目前各大芯片制造商都在寻求增加投资支出、建立先进的生产工厂以扩大产能。   三
  • 关键字: 三星  芯片  

三星投资203.32亿美元 发展绿色及健康事业

  •   三星集团(Samsung Group)预计至2020年前将投资约23兆韩元(约203.32亿美元),发展汽车及太阳能电池、Bio制药、医疗器材等5个亲环境及健康相关未来产业。此外,三星也将开放雇用约4.5万名员工,将成为景气恢复的催生剂,受到各界瞩目。   由三星集团会长李健熙于首尔市龙山区汉南洞的承志园中,所主持召开的新产业促进相关社长团会议中,三星表示为培育太阳能及汽车用电池、LED、Bio制药、医疗器材等亲环境、健康增进等新兴产业,将投资共约23兆韩元的金额。   三星表示,将由结晶系太阳能
  • 关键字: 三星  LED  太阳能  

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大关

  •   2010年第1季全球NAND Flash产业市占率中,仍以三星电子(Samsung Electronics)位居龙头,根据集邦统计,三星的市占率高达39.2%,东芝(Toshiba)以34.4%市占率紧追在后,第1季位元成长率较上季增加15%,但平均单价(ASP)小跌5%,全球NAND Flash产业的产值规模约43.63亿美元,较上季39.1亿元成长11.6%。   NAND Flash产业2009年率先落底反弹,但2010年表现空间不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
  • 关键字: Samsung  NAND  DRAM  

导光板短缺或将影响LED背光电视产量

  •   对电视品牌或者面板厂商来说,LED背光TV无疑是今年产品开发的优先重点;为了成就LED TV跳跃式的出货成长目标,厂商们都积极寻找稳定的LED芯片来源,将采购与备料重心聚焦在LED与光条上;然而WitsView认为,此时供应状况相对被忽视的导光板与原材料PMMA,却很有可能才是今年LED TV材料短缺问题上最严重的一环。   导光板原材聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的形式分成板材与粒子两种,一般来说前者主要透过裁切用于尺寸较大的Monitor与TV导光板上,而后者则是透过射出成型的制程,运用在对厚度要
  • 关键字: Samsung  LED  

Q1全球DRAM产值续增 三星稳居龙头

  •   DRAM价格走扬,带动全球第一季DRAM产值持续攀高至92.77亿美元,较去年第4季再成长6.9%;其中,南韩三星市占率达32.3%,稳居全球DRAM龙头宝座。   集邦科技表示,尽管第一季为DRAM产业传统淡季,不过,在电脑系统厂商担心下半年恐将缺货、积极储备安全库存下,带动第 1季DRAM市场需求淡季不淡,价格也持续走扬。   根据统计,第一季DDR3合约季均价上涨16%,现货季均价也上涨14%;DDR2产品方面,第1季合约季均价上涨5%,现货季均价则持平表现。   而在产品价格走扬,加上各
  • 关键字: 三星  DRAM  DDR3  

三星今年将推"相变内存" 取代手机闪存卡

  •   三星计划于今年晚些时候推出相变内存卡(PCM),旨在取代当前手机等电子产品所使用的闪存技术。   相变内存由相变材料制成,通过加热材料形式来存储数据。与闪存存储相比,相变内存存储数据时更加省电,预计可延长电池续航时间20%。   在速度方面,相变内存的优势更加明显,其存取数据的速度比闪存快9倍。三星表示,相变内存模块预计于今年晚些时候下线,最初的容量为512MB。三星预计,对于多种电子产品,相变内存最终取代当前的闪存技术。   值得一提的是,相变内存存储数据时所需温度在150至600摄氏度之间,
  • 关键字: 三星  PCM  

三星将加大40nm制程DDR3内存芯片产能

  •   顶级内存/闪存芯片厂商三星公司近日宣布由于Intel至强5600系列新处理器的出炉,刺激服务器厂商对DDR3内存的需求量大增,因此公司将增加 40nm制程DDR3内存芯片的产能。三星表示其40nm制程DDR3内存芯片产品的耗电量将比60nm制程产品低40%左右,目前其40nm制程 DDR3内存芯片产品的型号主要有1Gb/2Gb/4Gb几种,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed内存条。   三星半导体公司的副总裁Jim Elliott表示:“当与
  • 关键字: 三星  内存芯片  40nm  DDR3  

三星计划2年内投资173亿美元 扩展半导体事业

  •   据外电报道,全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)计划2年内为公司半导体部门投入高达19.3兆韩元(约合173.1亿美元) 的投资。   《韩国经济 (Korea Economic Daily)》引述芯片生产设备供货商消息指出,三星计划今年半导体事业投资 8.3兆韩元,明年再加码投资11兆韩元;并已经开始订购新的生产设备。
  • 关键字: Samsung  内存芯片  
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三星(samsung)介绍

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