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三星(samsung) 文章 进入三星(samsung)技术社区

三星展示新款无线USB芯片 速度480Mbps

  •   三星当地时间周四公布了两款无线USB芯片方案,理论传输速度480Mbps,实际速度200Mbps,它不但速度比Wi-Fi快,而且更为节能。方案由两块芯片组成,型号分别为S3C2680和S5M8311a,前者采用ARM 9架构,内置NAND闪存控制器,SD I/O和USB2.0接口,后者负责RF信号连接。   该芯片可以被部署在SD卡、USB设备和各种嵌入式设备中,也有计划被部署在高清数码摄像机中,这种无线传输方案极为节能,在480Mbps的工作模式下平均功耗也仅有300mW,因此对于消费电子和移动应
  • 关键字: 三星  无线  USB  

三星索尼将讨论GoogleTV液晶面板合作事宜

  •   韩国时报(KoreaTimes)25日引述未具名消息人士报导,三星电子(SamsungElectronicsCo.)营运长李在镕(LeeJae-yong)预定在下周前往柏林与SonyCorp.执行长HowardStringer会面,双方将讨论薄型电视的合作事宜。报导指出,双方预定将在9月3-8日期间于柏林举办的欧洲最大消费性电子展“IFABerlin”会面。   根据报导,李在镕与Stringer的讨论焦点将是「GoogleTV」网络电视平台,同时也将讨论新的液晶面板合作协议
  • 关键字: 三星  LED  GoogleTV  

三星退出电子纸市场 元太强调对营运没影响

  •   市场传出三星退出电子纸市场,恐冲击元太营收,元太澄清表示,三星占元太营收比例非常小,三星退出电子纸市场,对营运没有任何影响。今(26)天股价摆脱连2日下跌阴霾,以平盘开出,缓步向上。   市场传出三星退出电子纸市场,恐冲击元太(8069-TW)营收,元太澄清表示,三星仅是元太众多的客户之一,占元太营收比例非常小,三星退出电子纸市场,对元太营运没有任何影响。今(26)天股价摆脱连2日下跌阴霾,以平盘开出,缓步向上。   受到三星退出电子纸市场影响,元太近2日以来股价表现相当疲弱,三大法人本周来大幅卖
  • 关键字: 三星  电子纸  

AMOLED严重短缺 HTC Legend已限制供货

  •   受到三星AMOLED屏幕短缺的影响,HTC已经将Desire和在韩国发售的Google Nexus One两款手机的屏幕更换成了由索尼公司生产的Super LCD材质显示屏,但是这并没有给AMOLED屏幕的紧缺带来缓解,反而缺货问题越发严重,现在已经影响到了HTC的另一款手机Legend.   作为HTC hero的升级产品,Legend手机采用了一体式工艺设计,同时手机内置了由三星公司出产的AMOLED材质屏幕。Legend手机在上市后受到了不同国家用户的欢迎,但是由于AMOLED屏幕的影响,加拿
  • 关键字: 三星  AMOLED  LCD  

三星推出30纳米制程SSD 支持TRIM

  •   三星今天公布了型号为470的SSD产品系列,它们分为64/128/256GB三个版本售价分别为199、399和699美元。这种SSD采用30nm MLC闪存打造,内置双控制器,支持TRIM,采用3Gbps的SATA接口连接,写入和读取速度分别为250和220MB/s,随机读取写入性能为21000IOps和21000IOps,不过64GB版本的性能要稍低,写入速度仅有170MB/s,随机写入性能为11000IOps。
  • 关键字: 三星  30nm  TRIM  

半导体产业景气现恶兆 设备市场拉警报

  •   一位市场分析师表示,晶圆厂设备(fab tool)产业的天快塌下来了…到目前为止,2010年对晶圆厂设备供货商来说都是一个好年;但市场研究机构The Information Network却指出,半导体产业景气正在恶化,也即将对前段设备产业领域产生排挤效应。   “我们内部专有的全球领先指标(global leading indicator)已经呈现向下趋势;”The Information Network总裁Robert Castellano在一份声明中指出:
  • 关键字: Samsung  晶圆  

韩国LED上游厂商积极扩产 目标挑战全球蓝宝石晶棒3成产能占有率

  •   韩国供应LED蓝宝石晶棒主要厂商现仅2家,包括STC与Astek,其中,STC自2000年起供应蓝宝石晶棒;Astek则自2009年底起才供应,故于韩国蓝宝石晶棒市场地位尚不及STC。   全球蓝宝石晶棒市场现由美商Rubicon、俄罗斯厂Monocrystal等业者所主导,然因三星LED (Samsung LED)、LG Innotek等韩国LED厂大举扩产,其对LED蓝宝石晶棒需求增加,促使近期STC与Astek展开扩产计划,不仅如此,Iljin Display、Crystal On等LED蓝宝
  • 关键字: 三星  LED  

希捷、三星宣布联手研发SSD技术

  •   存储厂商希捷和三星今天宣布,已经签署了一份交叉授权协议,用于整合技术力量共同开发快闪记忆体产品。   根据协议,两家公司将联合开发固态硬盘,互相利用对方的技术和其他知识产权,三星目前是市场上较大的快闪记忆体提供商之一,双方的合作将带来SSD企业级应用和节能服务器业务的拓展。   三星和希捷表示,他们将利用三星最新的30nm MLC NAND技术提高企业级SSD的可靠性和耐久性,并减少成本,提高性能,并配合希捷成熟的企业固态硬件控制器完成一个解决方案。
  • 关键字: 三星  存储  

中国电视面板Q2采购萎缩15%

  •   专业显示器市调机构WitsView指出,中国电视品牌第2季因库存问题陆续发酵,采购面板规模相较上一季度再度萎缩15%,来到6400万片,仅有去年第4季采购量7成水平。   WitsView针对中国市场的调查结果显示,中国电视品牌近 3季在面板采购量,呈现逐季下滑态势。在去年第 4季整体的电视面板采购规模达到9400万片的历史新高里程碑后,今年第 1季即在工作天数减少,以及淡季效应双重影响下,采购量滑落到7600万片,出现高达 27%季减幅度。   WitsView指出,除大家所熟知的季节性因素与库
  • 关键字: Samsung  电视面板  

三星新专利:在触屏的正反两面操作

  •   三星最新提交的一项美国专利在传统的触摸屏上添加了在屏幕背面感知触摸的功能,用户无需触摸屏幕,只要在机身后面触动就可以操作屏幕,还允许屏幕正反两面同时操作。这项新专利不同于Moto Backflip,后者只是允许实体的全键盘完全翻到屏幕后面,用户可以在盯着前面屏幕的同时按动后面的键盘来定位,但那种操作无疑很是怪异。   尽管三星马上就要推出自己的平板电脑,但仍不清楚这个专利所显示的双面操控的触屏平板何时能够投入生产。不过,假如这种平板沿用And roid系统的话,三星需要定制这一系统以创造从后面
  • 关键字: 三星  触摸屏  

DDR2季度出货大幅缩水 三星芯片份额第一

  •   市场调研公司集邦科技今天发布了二季度全球内存市场统计报告。受到期货价格稳定和出货量小幅增长的利好影响,该季度全球DRAM收入环比上涨15.2%到107亿美元。虽然1Gb DDR3的现货价格环比下降了3%,但是2GB DDR3内存的期货价格却环比上涨了10%;受到1Gb DDR2价格进一步下滑的影响,DDR2内存该季度的出货量大幅度降低。   二季度全球DRAM出货量环比增长10%,但所用晶圆出货量增长率只有3.8%。集邦科技分析称,芯片供应商都将重点放在了制程工艺的升级,而非产能提升上面。   三
  • 关键字: 三星  DRAM  

三星与东芝联合 加快NAND Flash速度

  •   三星和东芝公司已经宣布了一个合作计划,旨在制定新规范推动NAND快闪记忆体的传输速率,具体来说,两家公司致力于发展DDR 2.0 NAND型快闪记忆体和400MB/s的接口技术,这比目前版本的NAND闪存接口技术快了十倍,这项技术将于英特尔、镁光和SanDisk共同开发的ONFI接口进行直接竞争,主要面向高性能产品例如SSD以及智能手机和消费电子产品。   三星和东芝公司目前供应NAND快闪记忆体市场70%的货源,因此它们在行业内具有相当大的话语权,这对他们的新规范计划将非常有利。   三星上个月
  • 关键字: 三星  NAND  30nm  

三星东芝支持高速DDR 2.0 NAND闪存标准

  •   三星和东芝今天共同宣布,双方将协力支持新一代高性能NAND闪存技术:拥有400Mbps接口的DDR NAND闪存,即toggle DDR 2.0规范。两家公司将支持这一规范成为行业标准,被业界广泛接受使用。   最初的SDR NAND闪存架构接口速度仅为40Mbps,现行的DDR 1.0标准将接口带宽提高到了133Mbps。三星和东芝推动的toggle DDR 2.0规范则进一步提升到400Mbps,是DDR 1.0的3倍,普通SDR NAND闪存的10倍。   高速闪存接口的优势不言而喻,未来将
  • 关键字: 三星  NAND  东芝  

三星东芝宣布将参与DDR2.0 NAND接口规范制定工作

  •   闪存业两大巨头三星公司与东芝公司近日宣布将支持并参与第二代DDR NAND闪存标准规范的制订工作,这种新一代闪存标准规范的接口数据传输率将高达400Mbit/s。不过两家公司并没有透露他们什么时候会完成该标准规 范的制定工作,另外也没有说明新一代闪存规范使用的闪存芯片存储密度参数。DDR2.0 NAND闪存推出后将主要面向移动和消费级电子类应用。   现有的DDR1.0版本NAND闪存接口规范只是将DDR数据传输接口与传统的单倍数据传输率NAND单元结合在一起使用,接口数据传输率仅133Mbit/s
  • 关键字: 三星  NAND  

三星宣布开始量产30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片

  •   今年早些时候,三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3内存芯片的开发工作,而最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下,加压到1.5V之后数据传输率则可提升至2133MHz,适用于 台式机,笔记本,服务器,上网本,移动设备的各种应用。   三星表示目前他们正在开发4Gb密度的30nm制程DDR3内存芯片产品,预计这款产品今年才会投入使用。
  • 关键字: 三星  30nm  DDR3  
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三星(samsung)介绍

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