美国国家半导体推出 低电压放大器

这几款采用模拟 VIP50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率 


二零零五年九月二十七日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation) (美国纽约证券交易所上市代号：NSM) 采用该公司专有的全新 VIP50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器，预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外，所采用的封装也极为小巧，因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体在另一份相关的新闻发布中详细介绍这种 VIP50 工艺的特色及技术规格。 

美国国家半导体是低功率、低电压放大器的领导者，该公司推出 4 款型号分别为 LMV651、LMV791、LPV511 及 LPV7215 的全新放大器，其特色是增益带宽积达到世界的先进水平。以 12 MHz 单位增益带宽的 LMV651 放大器为例来说，这款放大器比采用 SOT 及 SC70 封装的主要竞争产品节省多达 90% 的用电。其他的产品也各有自己的优点，其中包括低至 1mA 以下的电流以及高达 12V 的操作电压等特色，而采用 SC70 封装的纳安 (nanoamp) 比较器则只有 6.6ms 的传播延迟。 

美国国家半导体一直致力壮大高精度放大器系列的产品阵容，今次推出的 LMP7701 及 LMP7711 是该公司这方面的努力成果。这两款芯片是该公司新一代运算放大器系列的首两个型号，具有性能更高、输入偏置电压低于 300mV、输入偏置电压保证低于 200fA、以及操作电压高达 12V 等优点。 

美国国家半导体放大器产品部副总裁 Erroll Dietz 表示：「客户都要求我们提供性能更高、功耗更低的产品。先进工艺技术的成功开发正好为美国国家半导体提供一个好契机，让我们可以乘势在市场上脱颖而出。VIP50 的成功研发让美国国家半导体可以充分利用我们在工艺技术上的优势，开发高性能的放大器。这 6 款新产品的推出使我们一方面可以壮大高精度放大器系列的产品阵容，而另一方面又可继续保持我们在低电压、低功率产品市场上的领导地位。」

高精度放大器：输入电流低至几十飞安 (Femto Amp) 以确保传感器接口准确无误 

LMP7711 单组装运算放大器可以提供低电流 (50fA) MOS 输入，但所产生的噪音仍然不会超过 7nV/sqrt Hz，这个优点有助减少失真及信号调节错误。由于这款放大器获得高精度薄膜电阻及准确匹配的晶体管配对为其提供支持，因此输入电压偏移错误保证不会超过 200mV，共模抑制比 (CMRR) 又可提高至 95dB，而电源抑制比 (PSRR) 则可提高至 100dB。此外，即使这款芯片在 -40