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IR推出DC-DC应用优化的25V DirectFET芯片组

作者:时间:2008-07-16来源:电子产品世界收藏

  国际整流器公司推出25V同步降压式DirectFET MOSFET,适用于负载点 (POL) 设计,以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/85771.htm

  新25V结合了最新的HEXFET MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术,在SO-8占位面积及0.7mm纤薄设计中实现了高密度、单控制和单同步MOSFET解决方案。新的F6710S2、F6795M和IRF6797M器件的特点包括:非常低的导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) ,以实现高效率和散热性能,并可实现每相超过25A的工作。

  IRF6710S拥有0.3Ω的极低栅极电阻和3.0 nC的超低米勒电荷 (Qgd) ,可以大幅减低开关损耗,使这些器件非常适合作为控制MOSFET使用。

  IRF6795M和IRF6797M拥有极低的RDS(on),可以显著减少导通损耗,而集成的肖特基整流器可以降低二极管导通损耗和反向恢复损耗,使这些新器件非常适合大电流同步MOSFET电路。IRF6795M和IRF6797M采用通用MX占位面积,能轻易由原有SyncFET器件转向使用新器件。



关键词: IR 芯片组 转换器

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