英飞凌拓宽嵌入式闪存制造工艺应用范围

　　英飞凌科技股份公司近日宣布与IBM签订协议，拓宽公司成熟的大容量嵌入式闪存制造工艺的应用范围 。IBM将获得英飞凌130纳米嵌入式闪存工艺的使用许可，用于在北美地区制造全新的芯片。此外，英飞凌将利用IBM的晶圆代工服务生产基于该工艺的产品。

　　在2006年初，英飞凌的130纳米嵌入式闪存工艺就已在英飞凌工厂中得到广泛应用，用于生产从汽车系统到低功率芯片卡设备等应用所需的高级微控制器芯片。通过本协议，IBM还获得了相关非易失性存储器(NVM)知识产权的使用许可。130纳米嵌入式闪存工艺的采用将提高IBM的晶圆代工能力，使其满足在单芯片上集成定制逻辑和高密度闪存的应用需求。

　　英飞凌执行副总裁、管理委员会成员兼汽车、工业及多元化电子市场部主管Peter Bauer表示：“我们非常高兴签订许可协议和晶圆代工服务协议，继续与IBM的长期合作和共同技术开发。通过此次合作，英飞凌不仅能充分利用自己的制造知识产权，赢得新的批量制造伙伴，而且加强了与长期合作伙伴之间的关系。”

　　IBM全球工程方案部半导体解决方案副总裁Steve Longoria表示：“通过与全球嵌入式闪存技术领导厂商英飞凌合作，我们拓宽了自己的半导体产品范围。这项许可协议可充分利用我们现有的技术基础，而且给我们的模拟与混合信号技术带来了有益补充。”

　　该工艺的整合与验证工作已开始在IBM位于佛蒙特州Burlington的200毫米晶圆厂进行，计划在2008年下半年推出初步设计套件。