2008年复旦-诺发国际铜互连及相关技术研讨会最佳研究生论文竞赛正式展开

复旦-诺发国际铜互连及相关技术研讨会
Best Graduates Paper Contest
最佳研究生论文竞赛
论文截止日期：2008年2月28号 

    复旦-诺发国际铜互连及相关技术研讨会将于2008年举办第一届最佳研究生论文竞赛。该会议是由复旦-诺发互连研究中心举办的一年一次的国际会议，致力于为半导体工艺、先进材料研究和铜互连技术的大学生、研究人员以及工业界工程师提供一个关于半导体新技术的交流讨论平台，并提供了与世界一流半导体技术专家交流学习的机会。

    本次最佳研究生论文竞赛的参赛对象为：中国大陆地区的高校及科研院所的在校研究生。参赛领域包括：

1，半导体制造和互连工艺中的新技术(Novel technology for semiconductor processing and interconnect) 
2，Cu/Low k 集成技术 (Cu/Low k Integration) 
3，面向45nm及以下技术结点的PVD/CVD/ALD扩散阻挡层和铜籽晶层 (PVD/CVD/ALD barrier and seed layers for copper for 45nm and beyond) 
4，化学机械抛光材料和工艺技术(CMP material and process technology) 
5，干法工艺（沟槽结构和双镶嵌工艺，干法刻蚀工艺，等离子体造成的损伤，等） (Dry Processing (Trenches & Damascene structures, dry cleaning processes, plasma induced damage, etc.) 
6，先进介质材料（低介电常数介质，高介电常数介质，抗反射薄膜等）以及薄膜淀积工艺进展（Advanced Dielectric materials (low k, high k, ARCs, etc.) and deposition processes development） 
7，先进电镀技术（Advanced electrofill technology） 
8，金属化的可靠性研究（Reliability of metallization） 
9，先进图像转移技术（Advanced patterning process） 
 
    论文竞赛组织者非常欢迎来自互连技术的所有领域的优秀文章。最佳研究生论文竞赛评委会将由2008年受邀的报告者以及来自学术界和诺发系统有限公司的专业人员组成。

    论文要求以电子格式提交，内容长度为三页A4纸，包括所有的说明和图表。文章必须为未公开发表的原创性的文章。提交的文章如果已经发表过、或在其它会议报告过将不会被接受。作者的联系信息统一写在文章的第一页，内容包括姓名，机构，以及省市。文章必须用英文书写。最佳论文竞赛的论文格式参考IITC会议的格式，电子模板将在会议竞赛网页上登出。我们将在2008年3月发布文章是否被接收的通知，被接受的文章将在复旦－诺发国际互连研讨会上进行报告。

    入选文章的作者将给予相应奖励：

一等奖 1名；人民币5000元；

二等奖 2名；人民币3000元，

三等奖 3名；人民币1000元。

鼓励奖：若干。 

请将文章在2008年2月之前以Email形式发送给：

诺发系统半导体设备（上海）有限公司
Helen Xu，Email: helen.xu@novellus.com