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通过周边器件选择改善降压转换器效率

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作者:时间:2007-10-15来源:电子工程专辑收藏

  降压生产厂家通常会给出一个典型应用电路,帮助工程师快速完成原型设计,电路中一般会给出器件型号和具体数值,但不会详细说明器件的。如果某些器件已经停产或要寻找更便宜的器件,设计人员很难重新等效的替代器件。

  本文介绍了一种采用连续电流模式(CCM)、固定频率的脉宽调制(PWM)降压结构。所讨论的原理同样适用于其它结构,但不能直接套用本文的公式。为了说明降压转换器的设计,我们举例说明参数值的计算。有四个设计参数是必需的:输入电压范围、输出电压、最大输出电流和开关频率。图1列出了这些参数和所需的基本

  

  设计降压开关转换器时对值的计算要求很严格,首先假设转换器工作在CCM模式,CCM意味着关断时间内不会完全放电。下列公式假设使用的是理想开关(导通电阻为零,关断电阻无穷大,零开关时间)和理想二极管:

  fSW为降压转换器的开关频率,LIR为电感电流比例因子,表示IOUT的百分比(例如300mAp-p的纹波电流与1A输出电流之比=0.3A/1A = 0.3LIR)。

  LIR取0.3可以很好地平衡效率和负载瞬态响应,增大LIR(允许更大的电感纹波电流)会加快负载瞬态响应,减小LIR(降低电感纹波电流)会减慢负载瞬态响应。图2描述了瞬态响应与电感电流的关系(给定负载电流,LIR的取值范围是0.2~0.5)。

  电感的峰值电流决定了电感的饱和电流,同时也决定了电感的尺寸。当元器件的温度升高时,电感线圈的饱和会降低转换器的效率。可以通过下式计算电感的峰值电流:

  按照图1所列出的参数,可以计算出电感值为2.91uH(LIR = 0.3)。选择一个接近计算值的标准电感,如2.8μH,并确定其饱和电流大于所计算的峰值电流(IPEAK= 8.09A),选择足够大的饱和电流(10A)有助于补偿电路的离散性和元器件数值的差异。可以接受的裕量是高于计算值的20%,这时电感的最大直流电阻(DCR)是5~8mΩ。为了减小功耗,要选择尽可能小的DCR。选择不同供应商的电感,要看其最大DCR而不是典型值,最大值能够保证在最坏工作条件下的器件特性。

  输出的选择

  降压转换器的输出是为了降低电压过冲和输出纹波,输出的容量不足会产生较大的电压过冲,较大的电压纹波是因为输出电容容量不足或较高的等效串联电阻(ESR)。电路设计中都会给出电压过冲和纹波指标,为了达到要求,一定要选择足够大的电容容量和较低的ESR。稳压输出端的负载从满负荷突降为零时,要求有足够大的输出电容,以防止储能电感对输出电压产生影响,使其高于最大稳压值。输出电压过冲可由下式计算:

  Co是输出电容,ΔV是最大输出电压过冲。

  设置最大输出电压过冲为100mV,由上式计算输出电容为442uF,加上20%的典型容差,实际输出电容为530uF,最接近的标准电容为560uF。单独考虑电容引起的输出纹波时,纹波输出电压为:

  输出电容的ESR决定了输出电压的纹波,可由下式计算:

  注意,如果输出电容的ESR很低可能会引起转换器工作不稳定。不同器件的工作稳定性不完全相同,所以选择输出电容时一定要仔细阅读其规格书,并注意其稳定性。

  输出电容及其ESR引起的输出电压纹波为:

  重新整理上式,可以得到:

  比较好的降压转换器的输出电压纹波通常小于2%。对于560uF的输出电容,公式5计算得出最大ESR为18.8mΩ。因此选择ESR低于 18.8mΩ,容值大于560uF的电容。为了获得较小的ESR,可以并联多个电容。图3给出了输出电压纹波和输出电容及ESR的关系。这里采用了钽电容,较低的ESR有助于控制输出纹波。

  输入电容的选择

  输入电容的纹波电流决定了容值和尺寸,下式用于计算输入电容所能控制的纹波电流:

  图4所示是电容纹波电流和降压转换器输出/输入电压比的关系曲线。最差工作条件是输入电压等于两倍的输出电压(VOUT/VIN=0.5),产生IOUT (MAX)/2的纹波电流。

  降压转换器的输入电容与其输入阻抗有关,对于普通电路,每安培输出电流要求10uF到22uF的输入电容就足够了。从图1给定的参数,可以得到输入纹波电流为3.16A,可选择40uF的输入电容并根据测试结果进行调整。

 不要选择钽电容作为输入电容,这种电容在失效时通常会造成“短路”。陶瓷电容和铝电解电容是首选,它们没有这一失效模式。当PCB面积和器件高度受限时,陶瓷电容是很好的选择,但是陶瓷电容可能会引起音频噪声。陶瓷电容中的铁电(ferroelectric)电介质与压电现象相互作用,导致纹波电压引起PCB机械振动。聚合物电容没有这个问题,虽然它也会失效,但比钽电容好得多,所以比较适合用作输入电容。

  二极管的选择

  功耗是选择二极管的主要因素,最差工作条件下的平均功率由下式计算:

  VD是给定输出电流IOUT(MAX)时二极管两端的压降(硅二极管的典型值为0.7V,肖特基二极管为0.3V)。要保证所选的二极管能够耗散这些功率,为了保证电路可靠工作,还要保证最大反向击穿电压高于最大输入电压(VRRM≥ VIN(MAX)),二极管的正向导通电流一定要满足或超过最大输出电流(IF(AV)≥ IOUT(MAX))。

  MOSFET的选择

  选择MOSFET有一定的困难,所以很多工程师选择内置MOSFET的调节器。但是,在同等封装的DC-DC控制器内集成大功率 MOSFET,成本很难控制。所以内置MOSFET的转换器最大输出电流一般不超过3A到6A,要求更大电流时需外置MOSFET。选择适当的外置 MOSFET前,必须了解其最大结温(Tj(max))和最高环境温度(TA(max)),Tj(max)不应该超过115℃到120℃,TA(max)不应该超过60℃。下式可以计算MOSFET所允许?

 



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