德州仪器采用集成转换开关与LDO简化DDR内存电源设计

Micron公司计算与消费类电子产品集团的先进技术与战略市场营销执行总监 Terry Lee 说：“最终设备制造商脚踏实地地设计新型产品，既能支持内存密度更高的系统，同时又做到不会牺牲电池寿命。我们正与 TI 等少数几家领先的半导体公司开展合作，他们能够提供先进的电源管理模拟技术，其技术结合了适当的集成度、丰富的功能性与高性能，能够快速适应新一代 DDR 内存系统不断变化的电源要求。”

TI 的新型 TPS51116 集成了可驱动 VDDQ 的同步电流模式 DC/DC 控制器，还集成了一个可驱动 VTT 的 3-A 线性压降 (LDO) 调节器，以及一个缓冲参照 VTTREF。它是一套完整的 DDR 电源解决方案，与 DDR 与 DDR II JEDEC 规范完全兼容，通过包括用于转换开关的电力系列，仅添加 7 个外部电阻与电容即可实现该解决方案，而目前的同类竞争系统则要采用 18 个乃至更多分离式电源管理组件。TPS51116 具有优秀的轻负载效率，在 10 ma 时可实现超过 85% 的 VDDQ 效率。高性能 LDO 可吸收或提供 3A 峰值电流，同时只需要 2x10