GaN器件和AMO技术推动实现高效率和宽带宽
AMO解决方案的物理特性有利于在高效率下实现高带宽调制，但它是以在此AMO实施核心的非传统DPD方案为代价来实现的。虽然DPD架构是非传统的，但所需要 的计算资源与传统DPD的并无不同。因此，它没有产生与增加了的数字复杂性相关的隐藏功率成本，所以不会损害总体效率的增益。总之，AMO允许权衡解决移 相和包络跟踪行为的限制，从而实现了在每个方面都具有最佳特性的系统。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/259466.htm
图3: 10 W Class E 1.95 GHz测试电路原理图。(注2)。
图4: Class E GaN放大器照片。
GaN器件和PA设计
核心开关模式(switch-mode) PA的效率决定了移相、ET和AMO等技术的最大系统效率。对于现有的无线通讯放大器， 大多数最高效率的生产器件都采用GaN工艺来生产。例如，在麻省理工学院(MIT) (注2)开发的原型中使用的GaN HEMT器件(注1)?，它们在最大饱和输出功率上规定了65% (3.6 GHz) 和 > 70% (2 GHz) 的典型效率。图3所示为PA电路图，而图4是已组装的放大器照片。对于AMO应用，PA经设计在整个由阶梯式开关电源调制器提供的漏极电压范围具有良好的性能。
整体性能
一个完整的传送器(参见图5)包含了几种附加的系统成分。基带I和Q信号被传送至采用FPGA实现的数字预失真(DPD)和调制信号处理器中。 在此系统中，DPD通过查找表来实现，该表是以PA上传送器在不同组合DC电平所测出的静态非线性特性来建立的。移相信道相位调制数据被传送到两个PA的 数模转换器和相位调制器。振幅调制数据，以及粗略的延迟校正则驱动电源调制器电路。RF前置放大器提供了必需的驱动电平，而在输出端，组合器将PA输出汇 总到一个RF输出中。
图5: 测试传送器方框图。
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