- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款超高速驱动GaN器件的栅极驱动器IC“BD2311NVX-LB”。近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，电源部分的功率转换效率提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题，而这就要求功率元器件的不断优化。另外，不仅在自动驾驶领域，在工业设备和社会基础设施监控等领域应用也非常广泛的LiDAR*1，也需要通过高速脉冲激光照射来进一步提高识别精度。在这类应用中，必须使用高速开关器件，因此，ROHM在推出支持高速开关的GaN器件的同时，还
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ROHM GaN器件 高速栅极驱动器IC
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来，GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN器件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题。在这种背景下，ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，成功地将控制脉冲宽度从以往的9ns提升至2ns，达到业界超高水平。通过将该技术应用在控制IC中，又成功地确立了可更大程
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ROHM GaN器件 超高速驱动控制
- 1 罗姆看好哪类GaN功率器件的市场机会？GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）一样，是一种在功率器件中存在巨大潜力的材料。GaN 器件作为高频工作出色的器件，在中等耐压范围的应用中备受期待。特别是与SiC 相比，高速开关特性出色，因而在基站和数据中心等领域中，作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望（如图1、图2）。GaN 器件有望在中等耐压范围内实现出色的高频工作性能。具体在汽车行业可应用于车载OBC、48 VDC/DC 转换器（如图3）。2 &nb
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202201 GaN器件 罗姆
- 市场研究公司ABI Research发布了关于大功率射频有源器件市场的研究。研究显示，随着4～18GHz氮化镓(GaN)器件的普遍应用，在微波射频功率半导体器件方面的开销将持续增长。ABI Research预计，微波射频半导体市场规模有望在2019年之前超过3亿美元。点到点通信、卫星通信、各种雷达和新型工业/医疗应用都将从这些大功率GaN器件的应用中获益。
“当砷化镓(GaAs)器件目前成为微波射频功率领域的主流的时候，GaN器件将促进增长。”ABI研究公司市场调研总监L
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微波射频 GaN器件
- 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压，已成为大功率LED的关键材料之一，并在射频领域中受宠，其中包括Cree、RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品。另外包括IR、ST、富士通、松下，以及新晋的EPC(宜普)公司等都介入到GaN器件市场。
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硅功率MOSFET GaN器件
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