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IGBT模块的密勒电容影响

作者:时间:2014-02-16来源:网络收藏
需要首先了解IGBT或的寄生电容参数:

IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性,芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素,输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt,Coss造成的损耗一般可以被忽略。

其中:Cies = CGE + CGC:输入电容(输出短路)Coss = CGC + CEC:输出电容(输入短路)Cres = CGC:反馈电容(米勒电容)动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小,如下图所示。

可以看出在VCE电压较小时有一个比较大的值,此时VCE的瞬变会通过此电容对IGBT栅极有明显的影响,尤其在半桥电路中有可能造成寄生导通,需要多加注意,实际选型时往往CCE对Cies的比值越小越好。
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关键词: IGBT模块 密勒电容

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