多路读写的SDRAM接口设计
存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展，对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）因其容量大、读写速度快、支持突发式读写及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。SDRAM的控制比较复杂，其接口电路设计是关键。
本文首先介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令；然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程，应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法；最后给出了实现结果。
1 SDRAM的主要控制信号和基本命令
SDRAM的主要控制信号为：
·CS：片选使能信号，低电平有效；
·RAS：行地址选通信号，低电平有效；
·CAS：列地址选通信号，低电平有效；
·WE：写使能信号，低电平有效。
SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。
表1 SDRAM基本操作及控制信号
| 命 令 名 称 | CS | RAS | CAS | WE |
| 命令禁止（NOP:Command inhibit） | H | X | X | X |
| 空操作（NOP：No operation） | L | H | H | H |
| 激活操作（ACT：Select bank and active row） | L | L | H | H |
| 读操作（READ：Select bank and column,and start READ burst） | L | H | L | H |
| 写操作（WRITE：Select bank and column,and start WRITE burst） | L | H | L | L |
| 突发操作停止（BTR：Burst terminate） | L | H | H | L |
| 预充电（PRE：Deactive row in bank or banks） | L | L | H | L |
| 自动刷新或自我刷新（REF：Auto refresh or self refresh） | L | L | L | H |
| 配置模式寄存器（LMR：Load mode register） | L | L | L | L |
所有的操作控制信号、输入输出数据都与外部时钟同步。
2 接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程
一个完备的SDRAM接口很复杂。由于本文的SDRAM接口应用于解复用，处理的事件相对来说比较简单，因而可以简化设计而不影响性能。接口电路SDRAM的主要操作可以分为：初始化操作、读操作、写操作、自动刷新操作。
（1）初始化操作
SDRAM上电一段时间后，经过初始化操作才可以进入正常工作过程。初始化主要完成预充电、自动刷新模式寄存器的配置。操作过程如图1所示。
（2）读写操作
读写操作主要完成与SDRAM的数据交换。读操作过程如图2所示，写操作过程如图3所示。
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