STM32-FSMC机制的NOR Flash存储器扩展技术
对于异步突发访问方式，FSMC主要设置3个时间参数：地址建立时间(ADDSET)、数据建立时间(DATAST)和地址保持时间(ADDHLD)。FSMC综合了SRAM／ROM、PSRAM和NOR Flash产品的信号特点，定义了4种不同的异步时序模型。选用不同的时序模型时，需要设置不同的时序参数，如表2所列。在实际扩展时，根据选用存储器的特征确定时序模型，从而确定各时间参数与存储器读／写周期参数指标之间的计算关系；利用该计算关系和存储芯片数据手册中给定的参数指标，可计算出FSMC所需要的各时间参数，从而对时间参数寄存器进行合理的配置。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202625.htm
3 STM2扩展S29GL系列NOR Flash实例
3．1 S29GL系列NOR Flash简介
Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技术制造的高集成度NOR Flash存储芯片，提供16～128 MB可选容量，支持最快25 ns的页访问速度和11O ns的随机访问速度，带有最大64字节的写缓冲区，以提供更快、更高效的编程，是嵌入式系统设计中大容量存储器扩展的理想选择。本文选用的型号为S29GL512P，容量为512×64K字(总容量64 MB)，扩展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。
3．2 STM32与S29GL512P的电路连接
S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字／字节)，区别在于：
①对于芯片引脚DQ15，字模式时传送最高数据位D15；字节模式时传送最低地址A-1。
②字模式时，数据引脚D0～D15上传送数据信号；字节模式时，只有D0～D7上有信号。
此处，将BYTE上拉到高电平，选择16位的字访问单位。FSMC数据线FSMC_D[15：0]与S29GL512P的D15～D0对应连接；FSMC地址线FSMC_A[25：0]的低25根与S29GL512P的地址线A[24：0]对应连接。
由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可确定其片选线应连接FSMC片选控制线FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引脚连接FSMC的FSMC_NWAIT引脚，提供等待信号。
3．3 FSMC的配置
根据S29GL512P的映射位置，需要对FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器进行配置。
(1)FSMC_BCR2
配置S29GL512P的读／写采用统一时间参数，只需要设置时间寄存器FSMC_BTR2。配置存储器类型为NORFlash，数据总线宽度为16位(字)，不采用地址／数据复用，使能BANK1的子BANK2。
(2)FSMC_BTR2
由表2可知，异步NOR Flash时序模型Mode2／B需要设置时间参数DATAST和ADDSET。根据时序图，两个参数的计算公式如下：
式中：Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度；Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。根据S29GL512P用户手册，可知参数Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。设STM32微控制器采用72 MHz主频，则HCLK=(1／72×10-6)s。通过上述公式计算，可取值为：DATAST=2，ADDSET=5。
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