关 闭

新闻中心

EEPW首页 > 工控自动化 > 设计应用 > 多路读写SDRAM接口设计

多路读写SDRAM接口设计

作者:时间:2009-12-02来源:网络收藏

存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展,对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、速度快、支持突发式及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。的控制比较复杂,其接口电路设计是关键。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202612.htm

  本文首先介绍的主要控制信号和基本命令;然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程,应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法;最后给出了实现结果。

  

  1 SDRAM的主要控制信号和基本命令

  SDRAM的主要控制信号为:

  ・CS:片选使能信号,低电平有效;

  ・RAS:行地址选通信号,低电平有效;

  ・CAS:列地址选通信号,低电平有效;

  ・WE:写使能信号,低电平有效。

  SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。

  表1 SDRAM基本操作及控制信号

命 令 名 称 CS RAS CAS WE
命令禁止(NOP:Command inhibit) H X X X
空操作(NOP:No operation) L H H H
激活操作(ACT:Select bank and active row) L L H H
读操作(READ:Select bank and column,and start READ burst) L H L H
写操作(WRITE:Select bank and column,and start WRITE burst) L H L L
突发操作停止(BTR:Burst terminate) L H H L
预充电(PRE:Deactive row in bank or banks) L L H L
自动刷新或自我刷新(REF:Auto refresh or self refresh) L L L H
配置模式寄存器(LMR:Load mode register) L L L L

  所有的操作控制信号、输入输出数据都与外部时钟同步。


上一页 1 2 3 下一页

评论


相关推荐

技术专区

关闭