Vishay推出的新款高能效和高精度智能功率模块可支持新一代微处理器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，推出九款采用热增强型5 mm x 6 mm PowerPAK® MLP56-39封装，集成电流和温度监测功能的新型70 A、80 A和100 A VRPower® 智能功率模块。Vishay Siliconix SiC8xx系列智能功率模块提高能效和电流报告精度，降低数据中心和其他高性能计算，以及5G移动基础设施通信应用的能源成本。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202103/423532.htm产品编号 | PWM电平 | 电流 | 输入电压 |
SiC822 | 5 V | 70 A | 4.5 V - 16 V |
SiC822A | 3.3 V | ||
SiC820 | 5 V | 80 A | |
SiC820A | 3.3 V | ||
SiC840 | 5 V | 100 A | |
SiC840A | 3.3 V | ||
SiC832 | 5 V | 70 A | 4.5 V - 21 V |
SiC832A | 3.3 V | ||
SiC830 | 5 V | 80 A | |
SiC830A | 3.3 V |
日前发布的功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。
采用电感器DCR监控功耗的解决方案，电流报告精度为7 %，而SiC8xx 系列器件采用低边MOSFET进行检测，精度误差小于3 %。从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc. 和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统（SoC）性能，改进热管理。器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。
SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V（如表中所示），开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定（UVLO）。 SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平，兼容各种PWM控制器。
智能功率模块现可提供样品并已实现量产，供货周期为16周。
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