我国首个5G微基站射频芯片成功流片

据科技日报报道，从南京经济技术开发区获悉，我国首个5G微基站射频芯片YD9601，在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功，目前正在进行封装测试。

“5G微基站射频芯片项目是我们自主研发的有线射频宽带芯片组的拓展。”国家特聘专家、美国麻省理工学院博士王俊峰介绍说，在推出5G微基站射频芯片之前，公司通过研发有线射频宽带HiNOC2.0芯片，拥有了长期的射频芯片技术积累。

据悉，HiNOC2.0是我国下一代有线射频宽带广电接入标准，南京宇都HiNOC2.0射频/基带芯片组可实现600兆每秒的下行速率，完全可与国际巨头的同类产品对标。在中国广播科学研究院进行的标准测试中，搭载这组芯片的设备在85dB的线路衰耗下仍可接入，相比对标的国际巨头同类产品，抗衰减能力提升了10dB左右，这使其更能适应国内复杂、恶劣的网络环境。2019年4月，中国工程院院士倪光南领衔的专家组对HiNOC2.0芯片组进行技术鉴定，认定该芯片组在系统性能上达到了国际同类产品的先进水平，而其中射频芯片部分性能优于国际同类产品。

王俊峰介绍，YD9601不光覆盖700MHz广电频段，也兼容了工信部2月初刚刚颁发许可的3.3—3.4GHz的电信/联通/广电共享室内频段，可以说是为5G时代室内共享微基站量身定做的芯片。