基本半导体亮相PCIM Asia，共创“芯”未来

6月26日至28日，备受瞩目的PCIM Asia 2019（上海国际电力元件、可再生能源管理展览会）在上海世博展览馆举行，吸引了超过80家中外知名企业参展，以及近万名专业观众现场观摩交流。基本半导体精彩亮相PCIM Asia，展示了全系列碳化硅功率器件产品，吸睛无数。

本届PCIM Asia总展览面积达7000平方米，设有电动汽车专区、电气自动化专区、学术论文海报专区、首届体验专区及高校交流专区五大专区，展出了行业最前沿尖端的电力电子技术产品和解决方案，范围包括功率元器件、被动元件、散热管理、测试测量等。作为专注于电力电子领域的领军级专业展览会，PCIM Asia 同期还举办了丰富的国际研讨会、电力电子应用技术论坛 & 电动交通论坛等活动，紧贴行业动态，详尽剖析未来发展趋势。

本次展会上，基本半导体携旗下自主研发、达到国际先进水平的碳化硅功率器件产品参展，引发众多同行、观众的关注和热议。在展会同期举办的“电力电子应用论坛”上，基本半导体技术营销部经理刘诚发表了《碳化硅在新能源汽车领域的应用及发展趋势》的主题演讲，得到与会专家和观众的高度认可。

碳化硅肖特基二极管

具有零反向恢复、抗浪涌电流能力强、高温反向漏电低、雪崩耐量高等特点，提供行业标准封装，覆盖650V、1200V和1700V电压级别，额定电流范围2A至40A。产品应用领域包括光伏逆变器、车载电源、新能源汽车充电电源、通讯电源、服务器电源等。

1200V系列碳化硅MOSFET

采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，具有短路耐受时间长、导通电阻小、阈值电压稳定的特点，击穿场强接近10MV/cm，短路耐受时间长达6μs，是首款国产工业级碳化硅MOSFET。产品可广泛应用于车载电源、充电桩、光伏发电、高效率电源等领域。

车规级全碳化硅功率模块

为新能源汽车主逆变器应用推出的全碳化硅功率模块，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管，通过单面水冷散热形式为高效电机控制器设计提供便利。产品采用最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺，栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数达到业内领先水平。

为期三天的PCIM  Asia 2019已落下帷幕，期间行业新技术、新产品、新资讯精彩纷呈，促进了行业交流和产业发展。作为国内第三代半导体领军企业，基本半导体与业内国际一线企业同台竞技，充分展示了代表国内领先水平的碳化硅功率器件技术成果。未来，基本半导体愿与行业上下游合作伙伴携手并进，见证“SiC”机遇，共创“芯”未来。