晶硅太阳能电池占领业界高地

2012年4月14日，国家会议中心举办第六届中国新能源国际高峰论坛，中国科学院电工研究所太阳能电池技术研究室主任王文静发表了精彩演讲，题目为《晶硅太阳能电池最新技术进展》。从中我们可以清晰的看到了太阳能电池的发展、改进路线。

按常规工艺生产的电池效率，一旦提升到18%即进入瓶颈期。转换效率提升必定要引用新技术革新，例如：SE、MWT、HIT、EWT、IBBC等技术。

针对N、P两种不同掺杂类型的电池，围绕硅锭均匀性、少子寿命、发射区制备、背场制备、表面钝化、钝化技术及电池效率做了对比分析。

根据制程工艺、提效潜力和成本方面，按常规丝印技术、主栅背结技术和全背结技术分类比较。

硅太阳电池的高效率成为目前产业界追逐的目标。因为人们相信提高效率就意味着更具竞争性。但是P型硅衬底太阳电池最求高效率有其固有瓶颈。N型硅衬底太阳电池在获得高效率时增加了工艺难度，成本随之增高。因此，未来光伏产业及应用要在效率、成本、长期可靠性三个方面寻求某种平衡。