一种大电流高输出阻抗电流镜的设计

0 引 言
电流镜(CM)是模拟集成电路中最基本的单元电路之一。它是一种能将电路中某一支路的参考电流在其他支路得以重现或复制的电路，能减少电压变化和温度变化带来的误差，其性能对整个电路乃至系统的性能都有重要的影响。为了适应各种电路及系统性能的要求，不同的电路需要使用不同结构的电流镜，如放大器、比较器、自校准电流源等使用结构简单的电流镜，而转换器等要求高性能电流镜。LED(Light Emitting Diode)驱动电路要求电流镜的输出电流能够达到几十甚至上百毫安量级。输出阻抗和电流匹配精度是决定电流镜性能最重要的参数，许多研究都集中于这两点。这里在分析了基本电流镜和DMCM(Dy-namic Matching Current Mirror)电流镜的基础上提出一种高输出阻抗、高匹配精度的电流镜，其性能比传统电流镜更加理想，输出电流能够满足高输出电流的要求。

1 基本电流镜
最简单的电流镜如图1(a)所示，MOS管M1一直处于饱和状态，根据饱和MOS管漏源电流关系：

式中：μ是电子或空穴迁移率；Cox表示单位面积的栅氧化层电容；W／L为MOS管的宽长比；λ为沟道长度调制系数。对于较长的沟道，λ值比较小，因此忽略沟道调制效应。由此可知，如果两个相同的MOS管的栅源电压相等，那么其漏源电流也相等。但是图1(a)的输出阻抗仅为rO2，并且由于M1和M2的漏源电压不一定完全相等，使得电路的电流复制能力比较差。
共源共栅结构的电流镜具有比简单电流镜大得多的输出阻抗。图1(b)所示的为标准共源共栅电流镜，电流镜的输出阻抗为：

但是与简单电流镜一样，VDS1=VDS2同样得不到很好的保证，这就降低了共源共栅电流镜的电流复制精度。另外，为了使四个管子都处在饱和区，输出电压必须大于VT+2VOV，其中VT为管子的阈值电压；VOV为管子的过驱动电压，限制了输出电压摆幅。

图2所示的DMCM结构电流镜中，由于M3，M4，M6三个管子构成了一个负反馈，使得其输出阻抗大大提高，不过反馈回路的增益还存在提升空间。DM-CM结构电流镜的输出阻抗为：

通过调节M4和M6的宽长比可以实现|VGS4|=VGS6，此时满足VD1=VD3，MOS管M1和M3的漏源电流相等，电流镜具有较好的电流匹配精度。然而M4是PMOS管、M6是NMOS管，PMOS管和NMOS管的跨导会随着Iin变化而变化，并且两者变化的速率不相同，这就导致了M4和M6的栅源电压有着不一样的变化速率，于是在Iin的值发生变化时，VD1=VD3不能得到很好的满足，因此DMCM结构电流镜很难满足高精度的要求。同时，为了使M4工作在饱和区，输出电压必须大于VT十2VOV，致使输出电压摆幅不够宽。