- 随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化，电平位移驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V电平位移型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个设计案例，采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET 5kW交错调制图腾柱PFC评估板。从设计上看，这是一个很好的工业应用案例，涉及自举电路用在中功率驱动和工频50Hz的驱
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设计案例 电平位移 驱动电路设计
- 提出了一种基于0.35μm BCD工艺的电平位移电路。该电路使用了耐压5V的CMOS器件。通过对常规电平位移电路进行分析，提出了优化改善的电平位移电路。电路仿真结果显示，与常规的电平位移电路相比，改进的电路具有功耗低、输出电平稳定可靠等特点。
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电平位移 低功耗 电流镜 201810
电平位移介绍
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