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基于MAX16024的低功耗设备电源备份方案

作者:时间:2009-09-03来源:网络收藏

CEOUT(引脚10):低电平有效片选输出。只有在CEIN为低电平且没有进入复位状态时,CEOUT才为低电平。触发复位时,如果CEIN为低电平, CEOUT将继续保持12 μs(典型值)的低电平状态然后变高,或者当CEIN变高时跳变到高电平,具体取决于首先发生哪一种情况。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/181242.htm

的典型连接中,OUT端为SRAM供电;如果VCC高于复位门限(VTH),或者VCC低于VTH但高于VRATT,稳压器将由VCC 供电。如果VCCVRATT,稳压器进人非稳压状态,此时稳压器将由BATT端供电。OUT端由VCC供电时,可输出最高100mA的电流。
(1)切换在断电和失效的情况下,往往需要保存RAM内的数据内容。的BATT带有切换电路,当VCC跌落时将自动切换到电源供电。带有BATT ON输出,进入电源备份模式时该引脚变为高电平。当满足以下条件之一时,器件将切换到电源备份模式:1)VCC低于复位门限;2)VCC低于VRATT; 3)稳压器进入非稳压状态(除1.2 V输出电压版本之外)。
(2)片选信号选通MAX16024提供内部CE信号的选通控制,可避免在电源失效或断电时向CMOS RAM写入错误数据。正常工作期间,CE选通使能并将CE瞬变直接传送到输出端。触发复位输出时,该选通通道被禁止,以避免破坏CMOSRAM内的数据, CEOUT通过内部电流源被拉高至OUT。CEIN至CEOUT之间的1.5 ns传输延迟使器件可以配合大多数微处理器和高速DSP工作。正常工作模式下(没有复位),CEIN通过低导通电阻的传输门连接到CEOUT。复位时,如果CEIN为高电平,则无论随后如何变化,CEOUT在复位状态下均保持高电平。复位时,如果CEIN为低电平,CEOUT将保持12μs的低电平,以完成读/写操作。12μs延迟后,CEOUT将变为高电平,无论CEIN随后如何变化,复位期间输出都将保持在高电平。当CEOUT与CEIN断开时, CEOUT被上拉至OUT。片选电路的传输延时取决于驱动CEIN的源阻抗和CEOUT的容性负载。降低CEOUT的容性负载将最大限度地减小传输延时,同时应该采用低阻输出的驱动器。
(3)手动复位输入MAX16024中的为逻辑低电平时将触发RESET。当MR为逻辑低电平时,RESET保持复位状态。MR变高后,经过最小145 ms(tRP)的超时周期后RESET解除复位。MR在内部通过30 kΩ上拉电阻连接到VCC。MR可由TTL/COMS逻辑电平或开漏/集电极输出驱动。在MR和GND之间可连接一个常开的瞬态开关,提供手动复位功能,无需外部去抖电路。如果由长电缆驱动或工作在嘈杂环境下,需要在MR和GND之间连接一个0.1μF的电容,以提供额外的噪声抑制功能。
(4)电池连接指示器当进入电源备份模式时MAX160224的BATT ON输出变高,用来指示电源切换状态。
(5)电池保鲜在第一次连接VCC之前,MAX16024的电池保鲜功能可以确保备份电池不和内部电路及OUT连接,保证最终产品在第一次使用时,连接到 BATT的备份电池是全新的。内部保鲜锁存功能可以保持闭锁状态,避免BATT在VCC第一次上电之前为OUT供电。当VCC随后关闭时,BATT开始为 OUT供电。
(6)复住输出在上电、断电和低电压状态下MAX16024的P监控电路将触发处理器复位,以避免代码运行错误。当VCC低于复位门限时,触发RESET,并在VCC上升超过复位门限后继续保持至少145 ms(tRP)的低电平时间。MR为低电平时,也会触发RESET。



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