改善开关电流电路主要误差的方案
1 时钟馈通误差分析
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/180584.htm时钟馈通误差是一个复杂的物理现象，在这里以第二代开关电流存储单元为例进行分析。
图1为存储单元，图2为开关断开时的电荷注入示意图。
对图1所示的存储单元，Ms的沟道电荷可以近似地描述为：
其中：Cax是栅氧化层单位面积电容;wseff和Lseff分别是Ms的有效沟道宽度和长度;Vgs是Ms的栅一源电压;VT是Ms的阈值电压，由式(2)给出：
式中：2 |φF|是强反型层表面势垒;r是体阈值参数;VT0是Vgs=0时的阈值电压。
一般情况下，1 V
将式(3)代入式(1)，得到注入存储电容的沟道电荷为：
其中：aq表示沟道电荷注入存储电容的分配系数，典型值为：aq=1/2。由栅极扩散覆盖电容Co1，注入存储电容的电荷为：
根据式(4)和式(5)司得整个注入电荷的总量为：
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