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凌力尔特推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

作者:时间:2013-10-09来源:电子产品世界收藏

  公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极 ,该器件能以高达 80V 的输入电压工作,在高达 100V 瞬态时可连续工作。该可与功率 MOSFET 以及众多 DC/DC 控制器选择中相结合,构成完整的电源。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/174552.htm

   可在 4V 至 15V 的栅极驱动电压范围内工作。该器件为驱动逻辑电平 MOSFET 而优化,包括一个欠压闭锁电路,该电路启动时,可禁止外部 MOSFET。以地为基准的输入逻辑信号在内部电平移位至高端栅极驱动电源,能以高于地电平 95V 的电压连续工作。使用 6V 栅极驱动时, 提供 1.1A 峰值上拉电流和 1.8Ω 下拉阻抗,从而使该器件非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET 以及驱动多个并联 MOSFET 以用于更大电流的应用。当驱动一个 1000pF 负载时,其快速 10ns 上升和 7ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。

  LTC4440A-5 的 I 级版本在 -40ºC 至 125ºC 的结温范围内工作。H 级版本保证工作在 -40°C 至 150°C 的结温范围,而 MP 级则保证在 -55ºC 至 150ºC,从而使该器件非常适用于经受极端环境温度的汽车、工业和军事应用。

  LTC4440A-5产品电路图链接地址:http://diagram.eepw.com.cn/diagram/circuit/cid/370/cirid/118264

  LTC4440A-5产品数据表链接地址:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3121006

  LTC4440A-5 采用耐热性能增强型 8 引线 MSOP 封装。千片批购价为每片 1.89 美元。


照片说明:高端 MOSFET

  性能概要:LTC4440A-5

  · 输入电压范围:高达 80V 连续,100V 瞬态
  · 强大的 1.1A 峰值上拉驱动器 (采用 6V 栅极驱动电源)
  · 强大的 1.8Ω 下拉驱动器 (采用 6V 栅极驱动电源)
  · 7ns 下降时间驱动 1000pF 负载
  · 10ns上升时间驱动 1000pF 负载
  · 驱动标准门限 N 沟道 MOSFET
  · 具迟滞的 TTL/CMOS 兼容输入
  · 输入门限不受电源电压影响
  · 欠压闭锁
  · 耐热增强型 8 引线 MSOP 封装
  · I 级版本:-40ºC 至 125ºC 工作结温范围
  · H 级版本:-40ºC 至 150ºC 工作结温范围
  · MP 级版本:-55ºC 至 150ºC 工作结温范围



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