基于浮栅技术的闪存介绍
这个剂量数值对恒忆闪存的阈值电压参数分布未产生任何可以测量的影响。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/148573.htm
这意味着恒忆客户使用X射线检查提前焊好的印刷电路板，无需给闪存重新编程，无需对在正常制造过程中已完成擦除操作的闪存进行擦除操作，也无需为确保存在存储阵列的数据的可靠性而应用一个双重编程算法。
下图是在对整个存储阵列施加低于1Rad剂量的X射线前后的阈压分布曲线和对整个存储阵列施加30 Rad的X射线前后的阈压分布曲线，被测试器件是恒忆的车用16Mbit串行闪存M25P16。
图3 施加1 Rad / 30 Rad射线前后的阈压分布曲线图
为证明前述测试结果的有效性，查找可能的临界条件，X射线剂量值被提高1000倍 (2.5 KRad )，并进行两次回流焊。
图4 在受2500 Rad射线照射前后的阈压分布曲线
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