- 近日,据媒体报道,三星电子存储业务主管李政培称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。三星正在通过增加堆叠层数、同时降低高度来实现半导体行业最小的单元尺寸。目前,存储产业处于缓速复苏阶段,大厂们正在追求存储先进技术的研发。从当前进度来看,NAND Flash的堆叠竞赛已经突破200层大关:SK海力士已至321层,美光232层,三星则计划2024年推出第九代3D NAND(有望达到280层)。据悉,三星将于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层)
- 关键字:
三星 第九代 V-NAND 闪存
第九代介绍
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