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三星1000层NAND目标,靠它实现

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
  • 关键字: 三星  NAND  Flash  

三星1000层NAND目标,靠它实现?

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的
  • 关键字: 三星  1000层  NAND  

与 AI 共舞,RISC-V 芯片加速落地生根

  • 环顾当下芯片产业的关键词,RISC-V 一定位列其中。自计算机诞生以来,指令集架构一直是计算机体系结构中的核心概念之一。目前市场上主流的指令集架构两大巨头是 x86 和 ARM,前者基本垄断了 PC、笔记本电脑和服务器领域,后者则在智能手机和移动终端市场占据主导地位。近年来,随着全球对芯片自主可控需求的增长以及物联网、边缘计算等领域的需求不断扩大,RISC-V 在学术界和工业界得到了广泛关注和应用,逐渐成为第三大指令集架构。2023 年,RISC-V 架构在更多实际应用场景中得以落地生根,从物联网设备、边
  • 关键字: RISC-V  

SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”

  • · 作为业界最高性能产品,将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比,长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善,其使用寿命也提升40%· “继HBM后,也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日,SK海力士宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**(Zoned UFS)4.0”。SK海力士表示:“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品,其产品实现业界最高
  • 关键字: SK海力士  AI  存储  NAND  

SK海力士试图用低温蚀刻技术生产400多层的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蚀刻工具有独特的性能。
  • 关键字: SK海力士  3D NAND  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

累计上涨100%还不停!消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
  • 关键字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上涨  

美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

  • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232层QLC NAND现已量产,并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘(SSD)中出货。与此同时,美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产,并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
  • 关键字: 美光  QLC NAND  

2024中关村论坛年会亮相10项重大科技成果

  • 据中国科协官微消息,4月25日,2024中关村论坛年会开幕式举行,10项重大科技成果集体亮相。其中:北京量子信息科学研究院联合中国科学院物理研究所、清华大学等团队,宣布完成大规模量子云算力集群建设,实现了5块百比特规模量子芯片算力资源和经典算力资源的深度融合,总物理比特数达到590,综合指标进入国际第一梯队。清华大学戴琼海团队突破传统芯片架构中的物理瓶颈,研制出国际首个全模拟光电智能计算芯片。据介绍,该芯片具有高速度、低功耗的特点,在智能视觉目标识别任务方面的算力是目前高性能商用芯片的3000余倍,能效提
  • 关键字: 中关村论坛  RISC-V  开源处理器  

第三代“香山”RISC-V 开源高性能处理器核亮相,性能进入全球第一梯队

  • IT之家 4 月 25 日消息,在今日的 2024 中关村论坛年会开幕式重大成果发布环节,多项重大科技成果集体亮相。第三代“香山”RISC-V 开源高性能处理器核亮相,性能进入全球第一梯队。据介绍,第五代精简指令集(RISC-V)正在引领新一轮处理器芯片技术与产业的变革浪潮。中国科学院计算技术研究所、北京开源芯片研究院开发出第三代“香山”开源高性能 RISC-V 处理器核,是在国际上首次基于开源模式、使用敏捷开发方法、联合开发的处理器核,性能水平进入全球第一梯队,成为国际开源社区性能最强、最活跃
  • 关键字: RISC-V    

RISC-V如何推动边缘机器学习的发展

  • 图源:ipopba/Stock.adobe.com当你入了机器学习 (ML) 领域的门之后,很快就会发现,云端的数据存储和处理成本竟然如此之高。为此,许多企业都上了内部部署基础设施的车,试图通过这些设施来承载其ML工作负载,从而限制上述成本。可即便如此,这些内部的数据中心还是会带来诸如功耗增加等代价,尤其是在规模较大的情况下。而功耗增加,就意味着电费支出更高,还会给设备散热制造麻烦,对可持续发展也会构成不利影响。在云服务和内部部署场景中,这些开销与输入到中心枢纽的数据量直接相关。而解决的办法,就是在数据到
  • 关键字: RISC-V  边缘机器学习  

Achronix FPGA增加对Bluespec提供的基于Linux的RISC-V软处理器的支持,以实现可扩展数据处理

  • 高性能FPGA芯片和嵌入式FPGA(eFPGA)硅知识产权(IP)领域的领先企业Achronix半导体公司,以及RISC-V工具和IP领域的行业领导者Bluespec有限公司,日前联合宣布推出一系列支持Linux的RISC-V软处理器,这些处理器都可用于Achronix FPGA产品Speedster®7t系列中。这是业界首创,Bluespec的RISC-V处理器现在无缝集成到Achronix的二维片上网络(2D NoC)架构中,简化了集成,使工程师能够轻松地将可扩展的处理器添加到他们的Achronix
  • 关键字: Achronix  FPGA  Bluespec  RISC-V  软处理器  

群联3月营收年增73%,创历史单月新高纪录

  • 近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字: 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

芯来科技、IAR和MachineWare携手加速符合ASIL标准RISC-V汽车芯片创新

  • 芯来科技(Nuclei)、IAR和MachineWare紧密合作,加速RISC-V ASIL合规汽车解决方案的创新。此次合作简化了汽车电子的固件和MCAL开发,提供了虚拟和物理硬件平台之间的无缝集成。通过这种合作努力,设计人员可以更早地开始软件开发,并轻松扩展其测试环境。芯来科技、IAR和MachineWare之间的努力实现了在虚拟和物理SoC之间的无缝切换,促进了早期软件开发和错误检测。这种简化的方法加快了上市时间,特别是在汽车底层软件解决方案开发和HIL(Hardware-in-the-Loop)测试
  • 关键字: 芯来  IAR  MachineWare  ASIL  RISC-V  RISC-V汽车芯片  

3D NAND,1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: NAND Flash  存储芯片  铠侠  
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