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飞兆XS DrMOS提供更薄的Ultrabook应用解决方案

—— FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积
作者:时间:2012-03-21来源:电子产品世界收藏

  Ultrabook设备和笔记本等应用的设计人员面临降低设计中电感高度的挑战,以满足更薄的低侧高终端系统要求。有鉴于此,半导体公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用于大电流、高频率同步降压DC-DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6x6mm2 PQFN Intel  DrMOS v4.0标准封装。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/130495.htm

  

 

  FDMF6708N可让设计人员节省50%的占位面积,同时提供高开关频率和高功率密度。该器件的过零检测(ZCD)功能改善了轻负载效率,延长了电池寿命。与传统分立解决方案不同,FDMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET 技术以及具有更低源极电感的clip-bond封装,在满负载下提供高效率。而传统分立解决方案需要更大的PCB空间、更长的布局走线、更厚的电感,以及更多的元件,因而在使用较薄磁性元件所需的较高频率下散热性能不良。

  FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封装,与最接近的竞争产品相比,该器件在峰值负载下(15A)效率提高2.5%,在满负载条件下(30A)效率改善6%。该器件适用于要求开关频率在600KHz – 1.0MHz,输入电压甚至达到20V的应用。可让设计人员使用更小、更薄的电感和电容,减小解决方案的尺寸,同时满足热性能要求。FDMF6708N器件能够帮助设计人员应对设计挑战,设计出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook产品。



关键词: 飞兆 电源 XS DrMOS

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