力旺加速布局65/55nm制程 攻高阶CE市场

　　力旺电子(eMemory)日前宣布，其单次可程序(one time programmable, OTP)内存技术已于一线晶圆代工厂65纳米制程平台通过可靠度验证，进入量产阶段;另外，多次可程序(multiple times programmable, MTP)内存技术则同步于65纳米制程平台进行验证中，将可应用于对嵌入式储存组件规格要求日益严苛之高阶多媒体与数字消费性电子产品，如智能手机、平板计算机与数字电视机上盒等。

　　力旺表示，其单次可程序产品 NeoBit 与多次可程序的 NeoFlash, NeoEE 等，均正朝更先进制程转移。该公司的65纳米 NeoBit OTP 日前已通过可靠度验证，即将进入量产，而针对下一世代55纳米与更先进制程平台，力旺电子亦全力积极布局，目前已与数家国际级晶圆代工厂合作开发中，预计55纳米高电压制程之NeoBit将可于2012年Q2通过验证，进入试产阶段。

　　根据iSupply报告显示，预估2010~2015年间，智能手机和多媒体平板计算机出货量，将分别以28.5%和72.1%的年复合成长率攀升，看好未来高阶多媒体与数字消费性电子发展潜力，力旺表示，该公司每年持续投入超过30%之营业费用于研发创新技术，发展先进嵌入式非挥发性内存硅智财，先前80纳米高压制程之NeoBit OTP已进入量产，并对权利金收益有所挹注。

　　力旺电子嵌入式非挥发性内存之主要功能为储存参数设定与身分识别密码，以近期热门之数字电视机上盒与NFC相关应用为例，力旺电子之嵌入式EEPROM NeoEE即可作为协助储存密码、金额或身分识别数据使用，目前前项提及之相关产品以65纳米与40纳米制程为主力，而力旺电子相关技术亦同步开发中。近期65纳米之NeoEE进行验证测试获得98%以上之优异良率，预期2012年起即可对营收产生正面贡献。

　　力旺电子的嵌入式非挥发性内存技术包含单次可程序OTP NeoBit与多次可程序MTP NeoFlash、NeoEE等硅智财，由于架构简单，与逻辑制程完全兼容，不论建构于现有制程，或嵌入使用于客户端之产品，均可在不修改制程的前提下，直接进行设计。

　　目前力旺电子嵌入式非挥发性内存技术已广泛建置于0.5微米至0.11微米等各类型逻辑与衍生制程，加上近期于晶圆代工厂之先进制程布局，将可提供尖端设计客户具备完善质量与高可靠度之全方位嵌入式非挥发性内存解决方案。目前力旺电子拥有超过250件专利，全球Fabless客户数已突破310家，累计至2011年12月，内嵌力旺电子硅智财之量产八吋晶圆片数已超过340万片。