韩国开发变阻存储器元件原创技术

    韩国产业资源部近日宣布，韩国光州科学技术院教授黄贤尚领导的科研小组成功开发出了变阻存储器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）元件的核心原创技术，这一技术足以克服新一代存储器闪存芯片的缺陷。 　　据介绍，迄今为止，闪存芯片存在的最大缺陷是信息存储和刷新的时间长，存储容量难以达到３２千兆位（Ｇｂ）以上。 

　　专家介绍说，黄贤尚科研小组开发出的“单结晶锶钛氧化物（ＳｒＴｉ０３）”和使这种氧化物保持原有特性的表面处理工艺可以使存储器的存储功能“０（ｏｆｆ）”和“１（ｏｎ）”来回变动。而采用“单结晶锶钛氧化物”的存储器存储数据保持时间可达１０年以上，信息存储和刷新次数也可达千万次以上。 

　　据悉，美国商用机器公司、日本夏普公司和韩国三星电子公司等国际大公司都在开发新一代存储器原创技术，但迄今未能获得成功。 

　　韩国产业资源部称，新一代存储器原创技术可以实现新一代大容量存储器商业化的进程提早两年至三年。 

　　目前，韩国科学家的这一新技术已获得韩国两项专利，并正在美国和日本等国申请专利。