CMD182C4 C、X波段射频/微波I/Q混频器

CMD182C4是Qorvo旗下（原Custom MMIC）研发的紧凑型GaAs射频/微波I/Q混频器MMIC，采用无引线SMT贴装封装，具有低变频损耗、优异镜像抑制与高隔离度特性，搭配小巧体积，性能强悍易于布局，广泛适配卫星通讯、雷达设备、电子对抗等场景，是单边带上变频、镜像抑制电路搭建的优选核心器件。

规格参数

射频频率 (RF)：6 ~ 10 GHz

中频频率 (IF) ：DC ~ 3.5 GHz

转换损耗/增益：6 dB

镜像抑制 (IRR)：30 dB

输入 P1dB：+9 dBm

IIP3：+18 dBm

LO 驱动功率：+15 dBm

LO-RF 隔离度：46 ~ 50 dB

LO-IF 隔离度：20 dB

LO 到 RF 泄漏：-35 dBm（极低）

封装类型：陶瓷 QFN / 无引线 SMT

尺寸：4.0 × 4.0 mm（部分资料标注 QFN-24）

符合标准：RoHS 无铅

工作温度：-40°C ~ +85°C

钝化处理：完全钝化，防潮保护

应用领域

卫星通信：VSAT 终端、卫星收发

雷达：C 波段雷达、X 波段雷达

电子战 (EW)：信号情报、干扰对抗

无线通信：点对点/点对多点数字无线电

测试测量：频谱分析、信号生成

航空航天：空间通信链路

引脚与使用注意

RF（引脚 4）：DC 耦合，50 Ω 匹配

LO（引脚 15）：AC 耦合，50 Ω 匹配

IF1（引脚 9）、IF2（引脚 11）：DC 耦合；若需工作到 DC，该引脚不得提供/吸收超过 16 mA 电流，否则可能导致器件失效。非 DC 应用建议外部串联隔直电容。

GND / 散热焊盘：需充分接地，建议顶层与底层地平面通过大量过孔连接以保证散热和射频接地。

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