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AM002535MM-BM-R L波段 (L-Band) 功率放大器现货库存

发布人:立维 时间:2026-03-18 来源:工程师 发布文章

AM002535MM-BM-R L波段 (L-Band) 功率放大器现货库存

AM002535MM-BM-RAMCOM推出的GaAs MMIC 功率放大器(砷化镓单片微波集成电路),具备高增益、高输出功率、50Ω阻抗匹配等优势,采用陶瓷封装且兼容 SMT 贴装,符合 RoHS 要求,主要面向射频 微波通信、软件无线电、仪器仪表、射频增益链路等专业场景。

规格参数

频率范围0.03 - 2.5 GHz (30 MHz - 2.5 GHz)

增益 (Gain)24 dB

P1dB 输出功率34 dBm

饱和输出功率 (Psat)35 dBm

效率20-25%

工作电压 (Vd)20V

栅极电压 (Vg)-1V

封装类型BM (陶瓷封装,底部有RFDC引脚)

RoHS 合规

产品特性

材料与技术:采用砷化镓(GaAs)材料,在微波和毫米波频段具有优异性能。MMIC(单片微波集成电路)技术将有源器件(如场效应晶体管FET)与无源元件(如电容、电感)集成于同一芯片上,减少了尺寸并提高了电路的统一性和性能。

封装形式:AM002535MM-BM-R采用陶瓷封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,有助于保护芯片免受外界环境的影响。同时,RFDC引脚位于封装的底部,便于表面贴装到电路板上,提高了生产的自动化程度和效率。

环保标准:该产品符合 RoHS 标准,即限制在电子电气设备中使用某些有害物质指令,确保了产品的环保性和安全性。

性能优势

高增益:GaAs MMIC 功率放大器通常具有较高的增益,能够有效地放大输入信号,提高输出信号的功率水平。

低噪声:GaAs 材料具有低噪声特性,使得该产品在放大信号的同时能够保持较低的噪声水平,提高信号的信噪比。

高集成度:MMIC 技术将多个元器件集成于同一芯片上,减少了电路板的面积和重量,提高了系统的集成度和可靠性。

宽频带:GaAs MMIC 功率放大器通常具有较宽的频带范围,能够适应不同频段的通信需求。

应用领域

通讯系统:AM002535MM-BM-R可用作基站或卫星通信系统中的功率放大器,提高信号的传输距离和质量。

机载雷达:作为雷达发射器的功率放大器,该产品能够提供足够的功率来驱动雷达系统,实现目标的探测和跟踪。

测试设备:在射频和微波测试设备中,AM002535MM-BM-R 可用作信号放大器,增强测试信号的强度,提高测试的准确性和可靠性。

 

封装变体

AM002535MM-BM-R: 标准陶瓷封装,底部引脚,适合低成本SMT组装

AM002535MM-FM-R: 安装在镀金铜法兰支架上,可螺丝固定在金属散热器上

AM002535MM-EM-R: FM封装相同尺寸,但使用直引脚和铜/钨法兰

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关键词: AM002535MM-BM-R L波段 (L-Band) 功率放大器

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