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MPR11系列射频/微波多层瓷介电容器AFM Microelectronics

发布人:立维 时间:2026-03-11 来源:工程师 发布文章

MPR11系列射频/微波多层瓷介电容器AFM Microelectronics

MPR11系列是AFM Microelectronics推出的高性能射频/微波多层陶瓷电容器(MLCC),专为严苛应用环境与高标准技术需求设计,凭借优异性能与高稳定性,广泛用于消费电子、工业机械、国防、汽车等领域。

规格参数

电容范围0.1 pF 至 100 pF

介质材料瓷介(Porcelain陶瓷(Ceramic

10,000(高 值)

工作电压(WVDC150V / 200V / 250V

耐压强度额定 WVDC 的 250%,持续 

绝缘电阻10⁵ 至 10⁶ GΩ

温度系数90±20 ppm/°C

电容容差±0.1 至 ±0.5 pF,或 ±1% 至 ±20%

电容漂移±0.02% 或 ±0.02pF(取较大值)

封装尺寸05051.40 x 1.40 x 1.45 mm

具体尺寸0.055" x 0.055" x 0.057"L x W x T

工作温度范围-55°C 至 +125°C

端接类型镍阻挡层(Nickel barrier

产品特点

超高 Q 值(10,000):确保低损耗,适合高频应用

稳定的温度特性:90±20 ppm/°C 的温度系数

高可靠性:符合军用标准 MIL-PRF-55681 和 MIL-PRF-123

RoHS 合规:环保无铅设计

超小尺寸:0505 封装适合高密度 PCB 布局

环境测试

MPR11系列电容器经过严格的环境测试,以确保其满足EIA-198MIL-PRF-55681MIL-PRF-123等标准的要求:

热冲击测试:在最大额定温度(-55°C+125°C)下保持30分钟,取出时间不超过3分钟,重复五次循环,电容变化不超过0.5%0.5pF

耐湿性测试:在85°C85%相对湿度环境下,施加1.5伏直流电,持续240小时,电容变化不超过0.3%0.3pF,且绝缘电阻不低于初始值的30%

寿命测试:在125°C下施加200%额定直流电压,持续2000小时,电容变化不超过0.2%,且绝缘电阻不低于初始值的30%

应用场景

高频通信设备

便携式无线产品

射频功率放大器

滤波器和匹配网络

军事/航空航天电子

医疗设备

测试测量仪器 

 

产品命名规则

MPR11 系列型号格式:

MPR11 - [电容值代码] - [容差代码] - [电压代码] - [端接代码]

标准电容值型号(0.1pF ~ 100pF

MPR11 系列提供 E24 系列标准电容值,从 0.1pF 到 100pF

电容值代码

电容值

容差选项

标准电压

扩展电压

0R1

0.1 pF

B, C

150V

250V

0R2

0.2 pF

B, C

150V

250V

0R3

0.3 pF

B, C

150V

250V

0R4

0.4 pF

B, C

150V

250V

0R5

0.5 pF

B, C

150V

250V

0R6

0.6 pF

B, C

150V

250V

0R7

0.7 pF

B, C

150V

250V

0R8

0.8 pF

B, C

150V

250V

0R9

0.9 pF

B, C

150V

250V

1R0

1.0 pF

B, C, D

150V

250V

1R1

1.1 pF

B, C, D

150V

250V

1R2

1.2 pF

B, C, D

150V

250V

1R3

1.3 pF

B, C, D

150V

250V

1R5

1.5 pF

B, C, D

150V

250V

1R6

1.6 pF

B, C, D

150V

250V

1R8

1.8 pF

B, C, D

150V

250V

2R0

2.0 pF

B, C, D

150V

250V

2R2

2.2 pF

B, C, D

150V

250V

2R4

2.4 pF

B, C, D

150V

250V

2R7

2.7 pF

B, C, D

150V

250V

3R0

3.0 pF

B, C, D

150V

250V

3R3

3.3 pF

B, C, D

150V

250V

3R6

3.6 pF

B, C, D

150V

250V

3R9

3.9 pF

B, C, D

150V

250V

4R3

4.3 pF

B, C, D

150V

250V

4R7

4.7 pF

B, C, D

150V

250V

5R1

5.1 pF

B, C, D

150V

250V

5R6

5.6 pF

B, C, D

150V

250V

6R2

6.2 pF

B, C, D

150V

250V

6R8

6.8 pF

B, C, D

150V

250V

7R5

7.5 pF

B, C, D

150V

250V

8R2

8.2 pF

B, C, D

150V

250V

9R1

9.1 pF

B, C, D

150V

250V

100

10 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

110

11 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

120

12 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

130

13 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

150

15 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

160

16 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

180

18 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

200

20 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

220

22 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

240

24 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

270

27 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

300

30 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

330

33 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

360

36 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

390

39 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

430

43 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

470

47 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

510

51 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

560

56 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

620

62 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

680

68 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

750

75 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

820

82 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

910

91 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

101

100 pF

B, C, D, F, G, J, K, M

150V

250V

容差代码说明

代码

容差

B

±0.1 pF

C

±0.25 pF

D

±0.5 pF

F

±1%

G

±2%

J

±5%

K

±10%

M

±20%

电压等级

标准电压 (STD)150V DC

扩展电压 (EXT)200V DC 或 250V DC

端接选项

镍阻挡层(Nickel barrier)标准端接

可选微带线(Microstrip)端接

可选轴向引线(Axial Ribbon)端接

可选径向引线(Radial Wire)端接


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关键词: MPR11系列射频/微波多层瓷介电容器 AFM Microelectronics

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