微龙游消息，4月9日，芯盟高等级功率半导体厂房项目已顺利通过竣工验收。

据悉，该项目位于浙江省龙游县经济开发区城北片区惠商路，总投资5100余万元，建筑面积约25000多平方米。项目由龙游经济开发区下属国资公司代建，主体建筑由厂房、综合楼、门卫、材料库及室外附属配套组成，建筑层数共计5层。

该项目的竣工标志着龙游县在半导体产业领域迈出了坚实的一步，也为国内功率半导体产业的发展注入了新的活力。据悉，芯盟项目涵盖IGBT芯片、IGBT大功率模块和分立器件的生产，并积极拓展碳化硅功率器件领域。项目建成后，预计年产300万只高等级功率半导体模块。这将显著提升我国在高等级功率半导体领域的研发与生产能力，进一步推动国产功率半导体的发展。该项目建成后将全面提升园区的整体工艺技术、产业链等多方面能力，进一步助力国产功率半导体的发展。下一步，开发区将持续优化园区环境，优化周边配套设施，推动企业产业转型升级，为开发区发展注入活力。

值得注意的是，芯盟科技是全球首个研发出垂直沟道三维存储器并商业化的企业，其3D异构集成HITOC™键合技术可以实现线宽0.9μm，让芯片之间连接点数超过100万个，3D键合密度全球领先。

近期，芯盟科技接连申请了两项技术专利。

3月19日，芯盟科技向国家知识产权局申请了一项名为“动态随机存储器及其读操作方法、电子设备”的专利，公开号为CN119626287A。该专利通过优化DRAM设计，引入多个存储单元组及灵敏放大器组等，显著提高了DRAM的感应裕度和读出性能。

4月5日，芯盟科技获得了一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，授权公告号为CN113629011B。这项专利涉及创新的材料选择和生产工艺，有望提升半导体器件的耐用性和能效，广泛应用于智能设备、通信基础设施及消费电子等领域。

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