7月31日消息，韩国半导体厂商美格纳半导体（Magnachip）近日宣布推出用于智能手机电池保护电路的第 8 代 MXT LV MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），用于管理智能手机电池保护设计中的功耗。

美格纳在其新型 12V 双 N 沟道 MOSFET （MDWC12D024PERH） 中首次引入了其专有的超短通道 FET II （SSCFET® II） 技术。SSCFET II 是美格纳的最新设计技术，可显著缩短通道长度，从而降低 RSS（on）。

与相同尺寸的上一代产品相比，该产品的RSS（on）源电阻降低了约22%。这种减少降低了功率损耗，缩短了智能手机的充电时间，并在快速充电模式下将智能手机的内部温度降低了约 12%。

随着全球智能手机制造商在智能手机中增强AI功能，MOSFET产品的重要性与日俱增。新型 12V MXT LV MOSFET 具有高功率效率，并针对高端智能手机（尤其是设备上的 AI 智能手机）中的各种电池保护应用进行了优化。

根据市场研究公司 Omdia 的数据，从 2024 年到 2028 年，设备上 AI 智能手机的出货量预计将以年均 50% 的速度增长，到 2028 年将达到 6.06 亿部。

美格纳首席执行官 YJ Kim 表示：“继去年年初超短通道 FET I 技术的发展和产品的成功推出之后，美格纳现已推出升级的超短通道 FET II 技术。我们计划在今年下半年继续开发创新的高密度蜂窝沟槽技术，并推出针对智能手机、智能手表和耳机的先进电源解决方案。”

编辑：芯智讯-浪客剑

专栏文章内容及配图由作者撰写发布，仅供工程师学习之用，如有侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 联系我们