专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 9962GM-HF-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

9962GM-HF-VB一种2个N—Channel沟道SOP8封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-08-17 来源:工程师 发布文章

image.png

型号:9962GM-HF-VB

丝印:VBA3638

品牌:VBsemi

参数:

- 通道数量:2个N沟道

- 工作电压:60V

- 最大电流:6A

- 导通时的内阻:27mΩ(在VGS=10V和VGS=20V时)

- 阈值电压:1.5V

封装:SOP8

VBA3638.png

应用简介:

9962GM-HF-VB是一款具有2个N沟道的场效应晶体管,具有高性能和可靠性,适用于多种电路设计。以下是该产品在不同领域和模块中的应用示例:


1. 电源管理模块:9962GM-HF-VB可用于开关电源、稳压器和逆变器等电源管理模块,提供稳定的电流输出,满足各种电子设备的电源需求。


2. 电机驱动模块:在工业控制和自动化系统中,9962GM-HF-VB可作为电机驱动器,用于控制各种类型的电动机,如直流电机、步进电机和无刷直流电机等,确保电机的高效运行和稳定性能。


3. LED照明模块:9962GM-HF-VB适用于LED照明驱动器,用于调节LED灯的亮度和颜色,保证其稳定工作和长寿命。


4. 电源开关模块:在电源开关电路中,9962GM-HF-VB可以作为电源开关管,实现快速开关和调节电路的输出,应用于各种电子设备中。


综上所述,9962GM-HF-VB适用于电源管理、电机控制、LED照明和电源开关等多个领域和模块,能够为各种电子设备提供稳定的电源和有效的控制。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: 9962GM-HF-VB mosfet

相关推荐

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

vb开发人员操作规程

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

器件资料\\IRF840

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

快速、150V 保护、高压侧驱动器

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

SiC MOSFET的并联设计要点

开关电源手册

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区