专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 359B-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

359B-VB一种N—Channel沟道SOT23封装MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-07-22 来源:工程师 发布文章

image.png

以下是VBsemi品牌的SOT23封装N沟道场效应晶体管359B-VB的详细参数说明和应用简介:


- **参数说明:**

  - 封装:SOT23

  - 沟道类型:N沟道

  - 额定电压:30V

  - 最大电流:6.5A

  - 开关电阻:RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V, VGS=20V

  - 阈值电压:Vth=1.2~2.2V

VB1330.png

- **应用简介:**

  359B-VB适用于多种电子应用,具有较高的电压和电流额定值,适用于高性能的电源和电流控制设计。常见的应用领域包括但不限于:

  - 电源管理模块

  - DC-DC转换器

  - 电流控制模块

  - 逆变器

  - 电机驱动


该器件的高电流和低开关电阻使其在需要高效能量转换的场景中特别有用。其SOT23封装适合空间有限的电路板设计。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: 359B-VB mosfet

相关推荐

器件资料\\IRF840

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

开关电源手册

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

SiC MOSFET的并联设计要点

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

快速、150V 保护、高压侧驱动器

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

vb开发人员操作规程

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区