专栏中心

EEPW首页 > 专栏 > 2SJ486ZU-TL-E-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

2SJ486ZU-TL-E-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

发布人:VBsemi 时间:2024-07-03 来源:工程师 发布文章

image.png

型号:2SJ486ZU-TL-E-VB

丝印:VB2355

品牌:VBsemi

封装:SOT23


参数:

- 沟道类型:P—Channel

- 最大漏极电压:-30V

- 最大漏极电流:-5.6A

- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V

- 阈值电压:Vth = -1V

VB2355.png

应用简介:

该器件适用于各种电源管理和开关电路中。由于其P—Channel沟道类型和低漏极-源极电阻,特别适用于要求高效能和低功耗的应用。常见的应用领域包括电源逆变器、电源开关、功率管理模块等。


详细参数说明:

- 沟道类型:P—Channel,适用于负载开关和电源管理。

- 最大漏极电压:-30V,确保在一定电压范围内可靠工作。

- 最大漏极电流:-5.6A,适用于中等功率的电源管理需求。

- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低导通电阻确保高效的能量转换。

- 阈值电压:Vth = -1V,确保在适当的电压条件下工作。


应用领域:

1. 电源逆变器:用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器等。

2. 电源开关:在电源管理电路中,作为负载开关以控制电流流动。

3. 功率管理模块:在需要高效、可靠电源管理的场合,如电动工具、无线通信设备等。


这款器件的特性使其成为各种电源管理模块中的理想选择,为应用提供高性能和稳定的电源解决方案。


专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们

关键词: 2SJ486ZU-TL-E-VB mosfet

相关推荐

基于SMD封装的高压CoolMOS

视频 2010-06-12

电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新

大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

vb开发人员操作规程

开关电源手册

罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%

东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品,助力提升下一代AI数据中心效率

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET

基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计

视频 2010-06-12

快速、150V 保护、高压侧驱动器

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

SiC MOSFET的并联设计要点

利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护

沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解

罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

器件资料\\IRF840

AT89C52单片机与VB串行通信的实现

李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计

600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用

更多 培训课堂
更多 焦点
更多 视频

技术专区