"); //-->

产品型号: 2310AGN-VB
丝印: VB1695
品牌: VBsemi
**详细参数说明:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N-Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开通电阻(RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1~3V
**应用简介:**
2310AGN-VB是一款N-Channel沟道类型的场效应管,采用SOT23封装。其主要特点包括60V的最大耐压、4A的最大电流和低开通电阻(85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V),以及1~3V的阈值电压。这使得它在多种应用中表现卓越。

**适用领域:**
2310AGN-VB适用于各种领域,特别是在需要N-Channel沟道类型场效应管的场景中,例如:
1. **电源管理模块:** 具有较高的最大耐压和适中的电流特性,可用于电源管理模块,确保稳定的电源输出。
2. **电动工具:** 由于低开通电阻,适用于电动工具等需要高电流驱动的应用。
3. **自动控制系统:** 适用于需要N-Channel沟道场效应管的自动控制系统,如自动化工业设备。
这些应用领域充分发挥了2310AGN-VB在电源、控制和电动驱动方面的优势。
专栏文章内容及配图由作者撰写发布,仅供工程师学习之用,如有侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 联系我们
相关推荐
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
开关电源手册
李龙文讲电源:钛金牌电源绿色电源设计
TX-KDl02 MOSFET或IGBT的原理框图
器件资料\\IRF840
关于MOSFET的几个问题
带有反向电流保护功能的有源整流控制器
沟槽栅SiC MOSFET如何成为SST高频高压下的最优解
SiC MOSFET的并联设计要点
电力电子的未来:2026 MOSFET晶体管趋势与技术创新
MOSFET共振式直流-直流变换器电路
IGBT与MOSFET:数据对比选型以助力优化电子设计
600V 超结 MOSFET 面向电动汽车、开关电源及光伏逆变器应用
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
罗姆发布第5代碳化硅MOSFET,导通电阻降低30%
vb开发人员操作规程
AT89C52单片机与VB串行通信的实现
多个MOSFET管直接并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
快速、150V 保护、高压侧驱动器
利用智能理想二极管实现汽车电池前端保护
基于新技术电源控制IC的绿色高效 高功率密度电源的设计
FUJI(富士电机)的MOSFET, DIODE, PWM IC,PFC IC专业A级代理
SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择
碳化硅赋能浪潮教程:利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET
Re: MOSFET,IGBT是作什么用的?
多个MOSFET管并联构成的大电流输出线性稳压器电路(MIC5158)
基于SMD封装的高压CoolMOS
IR推出新型DirectFET MOSFET
mosfet driver 的设计有明白的吗?
IRF540 功率MOSFET实际应用:案例研究与深度解析